0 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Оперативная память DDR2: итоги первой половины 2007 года

Современные типы памяти DDR, DDR2, DDR3 для настольных компьютеров

В данной статье мы рассмотрим 3 вида современной оперативной памяти для настольных компьютеров:

  • DDR — является самым старым видом оперативной памяти, которую можно еще сегодня купить, но ее рассвет уже прошел, и это самый старый вид оперативной памяти, который мы рассмотрим. Вам придется найти далеко не новые материнские платы и процессоры которые используют этот вид оперативной памяти, хотя множество существующих систем используют DDR оперативную память. Рабочее напряжение DDR — 2.5 вольт (обычно увеличивается при разгоне процессора), и является наибольшим потребителем электроэнергии из рассматриваемых нами 3 видов памяти.
  • DDR2 — это наиболее распространенный вид памяти, который используется в современных компьютерах. Это не самый старый, но и не новейший вид оперативной памяти. DDR2 в общем работает быстрее чем DDR, и поэтому DDR2 имеет скорость передачи данных больше чем в предыдущей модели (самая медленная модель DDR2 по своей скорости равна самой быстрой модели DDR). DDR2 потребляет 1.8 вольт и, как в DDR, обычно увеличивается напряжение при разгоне процессора
  • DDR3 — быстрый и новый тип памяти. Опять же, DDR3 развивает скорость больше чем DDR2, и таким образом самая низкая скорость такая же как и самая быстрая скорость DDR2. DDR3 потребляет электроэнергию меньше других видов оперативной памяти. DDR3 потребляет 1.5 вольт, и немного больше при разгоне процессора

Таблица 1: Технические характеристики оперативной памяти по стандартам JEDEC

JEDEC — Joint Electron Device Engineering Council (Объединенный инженерный совет по электронным устройствам)

Важнейшей характеристикой, от которой зависит производительность памяти, является ее пропускная способность, выражающаяся как произведение частоты системной шины на объем данных, передаваемых за один такт. Современная память имеет шину шириной 64 бита (или 8 байт), поэтому пропускная способность памяти типа DDR400, составляет 400 МГц х 8 Байт = 3200 Мбайт в секунду (или 3.2 Гбайт/с). Отсюда, следует и другое обозначение памяти такого типа — PC3200. В последнее время часто используется двухканальное подключение памяти, при котором ее пропускная способность (теоретическая) удваивается. Таким образом, в случае с двумя модулями DDR400 мы получим максимально возможную скорость обмена данных 6.4 Гбайт/с.

Но на максимальную производительность памяти также влияет такие важный параметры как «тайминги памяти».

Известно, что логическая структура банка памяти представляет собой двумерный массив — простейшую матрицу, каждая ячейка которой имеет свой адрес, номер строки и номер столбца. Чтобы считать содержимое произвольной ячейки массива, контроллер памяти должен задать номер строки RAS (Row Adress Strobe) и номер столбца CAS (Column Adress Strobe), из которых и считываются данные. Понятно, что между подачей команды и ее выполнением всегда будет какая-то задержка (латентность памяти), вот ее-то и характеризуют эти самые тайминги. Существует множество различных параметров, которые определяют тайминги, но чаще всего используются четыре из них:

  • CAS Latency (CAS) — задержка в тактах между подачей сигнала CAS и непосредственно выдачей данных из соответствующей ячейки. Одна из важнейших характеристик любого модуля памяти;
  • RAS to CAS Delay (tRCD) — количество тактов шины памяти, которые должны пройти после подачи сигнала RAS до того, как можно будет подать сигнал CAS;
  • Row Precharge (tRP) — время закрытия страницы памяти в пределах одного банка, тратящееся на его перезарядку;
  • Activate to Precharge (tRAS) — время активности строба. Минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge), которой заканчивается работа с этой строкой, или закрытия одного и того же банка.

Если вы увидите на модулях обозначения «2-2-2-5» или «3-4-4-7», можете не сомневаться, это упомянутые выше параметры: CAS-tRCD-tRP-tRAS.

Стандартные значения CAS Latency для памяти DDR — 2 и 2.5 такта, где CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read. В некоторых системах возможны значения 3 или 1.5, а для DDR2-800, к примеру, последняя версия стандарта JEDEC определяет этот параметр в диапазоне от 4 до 6 тактов, при том, что 4 — экстремальный вариант для отборных «оверклокерских» микросхем. Задержка RAS-CAS и RAS Precharge обычно бывает 2, 3, 4 или 5 тактов, а tRAS — чуть больше, от 5 до 15 тактов. Естественно, чем ниже эти тайминги (при одной и той же тактовой частоте), тем выше производительность памяти. Например, модуль с латентностью CAS 2,5 обычно работает лучше, чем с латентностью 3,0. Более того, в целом ряде случаев быстрее оказывается память с меньшими таймингами, работающая даже на более низкой тактовой частоте.

В таблицах 2-4 предоставлены общие скорости памяти DDR, DDR2, DDR3 и спецификации:

Оперативная память DDR2: итоги первой половины 2007 года

Не успела IT-индустрия перестроиться на использование памяти DDR2, как Intel начал форсировать переход на DDR3. Этот тип памяти поддерживается чипсетом P35 (кстати, первые образцы уже есть в нашем тест-лабе), и будет ориентирован на middle- и high-end системы. Впрочем, это не означает, что DDR2 станет уделом middle- и low-end систем. Увеличение скорости памяти DDR3 напрямую связано с увеличением таймингов (задержек при обращении), что может привести к падению производительности в отдельных приложениях. То есть, данная ситуация полностью аналогична переходу с памяти DDR на DDR2.

А что насчет DDR2? Эта память прочно заняла свои позиции, и все современные продукты ориентированы только на нее. Фактически, в любом новом компьютере используется этот тип памяти, вне зависимости от его ценовой категории. Иными словами, даже бюджетные системы (low-end уровень со встроенной графикой) требуют DDR2.

Что изменилось в области оверклокерской памяти? Начнем с того, что выход серии Corsair Dominator поднял планку рабочих частот до 1200 МГц. Но при современных темпах совершенствования техпроцессов, память с подобными характеристиками могут выпускать все больше производителей. Это означает падение цен на память для энтузиастов. А общее сезонное падение цен снижает ценовую планку до вполне доступных цифр. Другой вопрос — нужна ли такая память? Для бескомпромиссных оверклокерских систем — безусловно, нужна. Но для нетребовательных энтузиастов – пожалуй, нет. Именно эта, многочисленная группа пользователей, ориентируется на младшую линейку процессоров Intel Core 2 Duo (то есть на серию E4xxx), которая работает на частоте FSB = 200 МГц (серия E6xxx — частота FSB=266 МГц). Это означает, что при разгоне такого процессора до технологического предела

3,5 ГГц, вполне достаточно обычной памяти DDR2 800 МГц. В результате мы можем прогнозировать падение интереса к дорогой оверклокерской памяти. Тем более что наши тесты показали, что память DDR2 с низкими таймингами обеспечивает такой же уровень производительности, как память с большей частотой и более высокими таймингами.

Тем не менее, сегодня мы рассмотрим три комплекта оперативной памяти DDR2 производства компаний G.Skill, Team Group и GoodRAM.

Начнем с модулей памяти производства Team Group, которые имеют маркировку TXDD1024M1066HC4.

Как гласит наклейка на упаковке и на модулях, данная память способна работать на частоте 1066 МГц при таймингах 4-4-4-12.

Впрочем, есть примечание — такие характеристики становятся возможными только при увеличении напряжения до 2,35 В – 2,45 В.

Понятно, что увеличение Vmem на 36% не добавит здоровья модулям, на котором BGA-чипы не имеют никакого радиатора. Поэтому к памяти прилагаются две небольшие коробочки:

Внутри пользователь обнаружит мощнейший радиатор, теплопроводные прокладки, набор крепежа и инструкцию по установке.

Этот радиатор является разработкой компании ThermalRight (которая является известным производителем радиаторов), однако, выпущен по заказу Team Group, о чем можно судить по наклейке:

Установка радиатора на модуль памяти занимает считанные секунды: достаем из пакета теплопроводную прокладку, наклеиваем ее на чипы, и устанавливаем на этот бутерброд радиатор. Отметим, что прокладка не имеет клеящего слоя, хотя очень хорошо держится на чипах. Также мы можем рекомендовать удаление бумажных наклеек с чипов памяти, для обеспечения лучшей теплопроводности. Но сделать это нужно очень аккуратно, чтобы не повредить их (наклейки), и тем самым сохранить гарантию. Кстати, как гласит наклейка на упаковке, — гарантия пожизненная!

После того, как мы установили радиаторы на модули Team Group, мы столкнулись с определенными трудностями при использовании.

Тепловые трубки выходят за границы области слотов DDR2, что во многих случаях будет приводить к конфликту с видеокартой, установленной в первый слот PCI Express x16. Соответственно, если в обзоре какой-либо материнской платы будет упомянута блокировка слотов DIMM, то применительно к продукту Team Group, это означает невозможность использования этих радиаторов. Разворот радиаторов на 180 градусов, в отдельных случаях, может улучшить ситуацию. Но выбор ориентации радиаторов будет зависеть от расположения слотов DIMM на материнской плате.

Кстати, в комплекте радиаторов есть специальный крепеж для установки внешнего вентилятора любого стандартного размера.

Получившаяся конструкция выглядит следующим образом:

Посмотрим на информацию SPD:

Отметим поддержку EPP, а также весьма завышенные «штатные» тайминги. Соответственно, мы начали тестирование этих модулей в штатном режиме. Результат весьма и весьма впечатлил — стабильная работа на частоте 1216 МГц с таймингами 5-8-8-26.

А какая ситуация будет с таймингами 4-4-4-12, которые рекомендует производитель? Здесь мы удивились еще больше — стабильная работа оказалась возможной на частоте 1212 МГц!

Справедливости ради, отметим довольно высокое напряжение Vmem, которое мы подавали на эти модули: 2,45В. Сначала мы принудительно обдували модули довольно мощным вентилятором, но потом почувствовали запас стабильности, и эксплуатировали модули памяти при пассивном охлаждении. При этом температура радиаторов была довольно высокой, что говорит о хорошей теплопередаче от чипов к радиатору. Единственный момент — вокруг модулей памяти была циркуляция воздуха, создаваемая процессорным кулером. Но если вы используете водяное охлаждение, то можно ограничиться одним тихоходным вентилятором, который будет обдувать модули памяти и преобразователь питания материнской платы.

Итак, мы ставим высокие оценки памяти TXDD1024M1066HC4 производства Team Group, и переходим к тестированию модулей F2-6400CL4D-2GBHK производства G.Skill. Эти модули упакованы в небольшую коробку, в которой есть пара наклеек с логотипом компании.

На модулях установлены стандартные алюминиевые распределители тепла:

Маркировка модулей (крупно):

и информация SPD:

Посмотрим, как эти модули покажут себя в работе при штатных таймингах:

Отличный результат — стабильная работа на частоте 1212 МГц с таймингами 5-8-8-26. Напряжение питания было равно 2,3 В. При подаче более высокого Vmem радиаторы не справлялись с отводом тепла и память перегревалась (даже при активном охлаждении).

Посмотрим, как поведет себя эта память при минимальных таймингах.

Вполне неплохие результаты: стабильная работа на частоте 1080 МГц с таймингами 4-4-4-12.

И, наконец, мы переходим к модулям GP900D264L5/1G, производства малоизвестной в России компании Wilk Elektronik S.A. Эти модули были включены в тестирование в последний момент, исключительно по рекомендации компьютерных энтузиастов.

Внешний вид модулей, упаковка — совершенно обычная:

Маркировка модулей (крупно):

и информация SPD:

Модули мы не разбирали, но рискнем предположить, что на них установлены довольно качественные чипы Micron D9GMH.

Протестируем данные модули на штатных таймингах:

Великолепный результат: стабильная работа на частоте 1224 МГц с таймингами 5-7-7-21. А как поведет себя эта память на минимальных таймингах?

Результат не впечатляет — всего 1040 МГц с таймингами 4-4-4-12.

Сведем результаты в одну таблицу, и подведем итоги:

Конфигурация тестового стенда:

Кроме трех комплектов памяти, мы также протестировали комплекты памяти Corsair TWIN2X2048-8500C5 и Corsair TWIN2X1024-8000UL1, которые постоянно используются на нашем тестовом стенде.

Первое и главное, что стоит отметить — все три представленных комплекта модулей памяти успешно заработали на частотах 1200 МГц и выше. Это означает, что все большое число производителей настолько отладили техпроцессы, что без особых усилий выпускают высокоскоростную память. Однако и среди равных есть первые. Это память TXDD1024M1066HC4 производства Team Group, которая преодолела 1200 МГц на низких (4-4-4-12) таймингах. И хотя разница в производительности между режимами с низкими и высокими таймингами не столь велика, как у памяти DDR-I, но результаты весьма впечатляют.

Читать еще:  Первые смарт-часы Realme показали лицо

Отдельно хотим отметить то, что причина высоких показателей этой памяти кроется не в массивных радиаторах, а в характеристиках чипов:

Поэтому если данные модули памяти с радиаторами ThermalRight не могут быть установлены на какую-либо систему, то можно спокойно заменить радиаторы другими (коих сейчас довольно много в магазинах). Радиаторы ThermalRight оставили противоречивые впечатления. С одной стороны, их эффективность довольно велика в пассивном режиме. И в запасе есть возможность установить дополнительный вентилятор! Но, с другой стороны, массивность радиаторов затрудняет сборку, и в отдельных случаях делает ее невозможной: тепловые трубки упираются в видеокарту, сами радиаторы упираются в нестандартные процессорные кулеры. Если организация двухканального режима на материнской плате соответствует схеме I канал: 1 слот, 3 слот; II канал: 2 слот, 4 слот, то установить память с радиаторами ThermalRight в слоты 1 и 2 (то есть рядом) невозможно. Более того, рядом нельзя установить другой модуль со стандартным радиатором.

Как выбрать оперативную память

Характеристики оперативной памяти

Нужно знать, какая память бывает, потому что не всегда удаётся найти точно такую же модель. К счастью, разных типов памяти не много и всегда можно найти замену с подходящими характеристиками. Особенно если ищете оперативную память для ноутбука — в готовый продукт ставят OEM-комплектующие, не всегда доступные в магазинах.

Форм-фактор

Внешне платы ОЗУ отличаются форм-фактором (размером). Есть DIMM — стандартный для настольного ПК, есть SO-DIMM — в два раза меньше стандартного, предназначенный для в ноутбуков. Ах да, ещё чипы оперативной памяти могут быть распаяны прямо на материнской плате — такую не заменить. DIMM, кстати, может быть низкопрофильным, с меньшей высотой. Такой вариант нужен для тех случаев, когда кулер, охлаждающий процессор, своим радиатором перекрывает разъём оперативной памяти и для стандартной DIMM просто нет места.

Тип DDR — 1, 2, 3, 4

За редким исключением, материнской платой компьютера поддерживается только один тип (поколение) памяти: тот, который сейчас установлен.

Зная только тип памяти, выводы о производительности памяти делать не стоит. DDR4 однозначно быстрее, чем старая DDR1, но между DDR2 и DDR3, DDR3 и DDR4 разница не столь очевидна, старое поколение может оказаться быстрее. Всё дело в параметрах, о которых дальше.

Тайминги

Оперативная память — это плата с распаянными на ней чипами. Внутри чипов находятся ячейки памяти, которые без электропитания хранят данные очень недолго. Нужно все время их обновлять с помощью повторяющихся электрических импульсов определённой силы, длительности и со строго выверенными паузами. Тайминги оперативной памяти — это длительность тех самых импульсов и пауз. Кстати, они настолько короткие, что измеряются наносекундами!

Чем меньше тайминги, тем быстрее можно обновить данные, тем производительней память. Меньше = лучше. Но тайминги сами по себе ничего не решают, потому что они зависят от не менее важного параметра — тактовой частоты памяти.

Тактовая частота, частота шины, пропускная способность

Тактовая частота оперативной памяти — частота (количество импульсов в секунду), с которой работает оперативная память. Измеряется в мегагерцах. Один мегагерц — это миллион импульсов в секунду. Чем выше, тем лучше.

Ещё есть тактовая частота шины («DRAM Frequency» в программе Speccy) — частота канала, по которому идёт обмен данными между оперативной памятью и процессором. Выше — лучше.

Пропускная способность — это сколько за секунду времени может быть «пропущено» данных через плату оперативной памяти. Вычисляется умножением частоты памяти на объем данных, передаваемых за один такт. Чем выше, тем лучше. Измеряется в мегабайтах в секунду. Чаще всего производителем и магазинами указывается пиковая пропускная способность — теоретическая максимальная пропускная способность. Чтобы сразить громадными цифрами покупателя, не иначе.

Объём

С каждым годом выходят всё более ёмкие платы ОЗУ. Сейчас в магазинах вы найдете платы на 512 Мб, 1, 2, 4, 8 и 16 гигабайт. Есть и больше, но только для серверов.

На данный момент 8 Гб оперативки — это комфортный минимум для игр. 4 Гб — минимум для офисного компьютера. Чем лучше, тем больше.

Напряжение

В зависимости от моделей ОЗУ, стандартное напряжение у плат бывает в диапазоне:

Помимо «обычных» плат DDR3 и DDR4, существуют энергоэффективные версии — DDR3L и DDR4L. «L» версии по умолчанию работают при более низком напряжении.

  • DDR3L — 1,35 вольт.
  • DDR4L — 1,05 вольт.

Максимальный порог напряжений такой же, как и у обычной памяти — 1,65 и 1,4 вольта соответственно.

Как правило, оперативная память работает корректно без лишних телодвижений со стороны пользователя — требуемое напряжение, как и другие характеристики (тайминги), определяется автоматически, ничего регулировать не надо.

Но иногда всё же приходится лезть в BIOS (настройки материнской платы), чтобы выставить корректное напряжение. Такое происходит, когда в ПК установлена планка, по умолчанию работающая на напряжении выше 1,5 вольта, вместе с «обычной» или Low Energy версией. Например, у меня в ПК установлены две планки DDR3 AMD Performance Edition, которые по умолчанию работают при напряжении 1,65 V, и пара безымянных планок с Ebay, купленных на распродаже, для которых номинальное напряжение — более популярное 1,5 V. Так как напряжение ставится одно на всех, матплата решила подать 1,65 V. В принципе, при таких условиях может работать даже DDR3L, но так как я точно знаю, что планки от AMD в моём ПК отлично работают даже на 1,4 V, я выставил принудительно 1,5 вольта. Кто знает, какие компоненты стоят в безымянной памяти, вдруг именно в моём случае они не рассчитаны на такое напряжение?

Если же вы, допустим, поставите в настольный ПК платы DDR3 1,5 V и DDR3L 1,35 V, ничего страшного не произойдёт — обе будут работать под напряжением 1,5 V. С ноутбуками ситуация иная: иногда силовая часть материнских плат не рассчитана на питание большее, чем у комплектной памяти в «L» исполнении, тогда при установке более энергоёмкой платы возможна нестабильная работа и/или перегрев.

Так в чем измеряется скорость оперативной памяти?

Зная пропускную способность, становится проще понять, какая память быстрее. Остальные характеристики могут ввести в заблуждение. Например, у памяти может быть высокая частота, но медленные тайминги — в итоге пропускная способность будет такой же, как у памяти с низкой частотой, но быстрыми таймингами.

К сожалению, производители любят нагружать потребителя странными цифрами, обзывая память каждый по-своему. Поэтому специально для вас подготовил несколько табличек, которые прояснят ситуацию и позволят, зная тип оперативной памяти и одну из частот, узнать пиковую пропускную способность. По ней и решайте, какая память быстрее.

Ускоряем память или меньше не значит лучше

Разгоняя компьютер, мы больше внимания уделяем таким компонентам как процессор и видеокарта, а память, как не менее важную составляющую, иногда обходим стороной. А ведь именно тонкая настройка подсистемы памяти может дополнительно увеличить скорость рендеринга сцены в трехмерных редакторах, уменьшить время на компрессию домашнего видеоархива или прибавить пару кадров за секунду в любимой игре. Но даже если вы не занимаетесь оверклокингом, дополнительная производительность никогда не помешает, тем более что при правильном подходе риск минимален.

Уже прошли те времена, когда доступ к настройкам подсистемы памяти в BIOS Setup был закрыт от лишних глаз. Сейчас их столько, что даже подготовленный пользователь может растеряться при таком разнообразии, не говоря уже о простом «юзере». Мы постараемся максимально разъяснить действия, необходимые для повышения производительности системы посредством простейших настроек основных таймингов и, при необходимости, некоторых других параметров. В данном материале мы рассмотрим платформу Intel с памятью DDR2 на базе чипсета от той же компании, и основной целью будет показать не то, насколько поднимется быстродействие, а то, как именно его необходимо поднять. Что касается альтернативных решений, то для памяти стандарта DDR2 наши рекомендации практически полностью применимы, а для обычной DDR (меньшие частота и задержки, и большее напряжение) есть некоторые оговорки, но в целом принципы настройки те же.

Как известно, чем меньше задержки, тем меньше латентность памяти и, соответственно, выше скорость работы. Но не стоит сразу же и необдуманно уменьшать параметры памяти в BIOS, так как это может привести к совершенно обратным результатам, и вам придется либо возвращать все настройки на место, либо воспользоваться Clear CMOS. Все необходимо проводить постепенно — изменяя каждый параметр, перезагружать компьютер и тестировать скорость и стабильность системы, и так каждый раз, пока не будут достигнуты стабильные и производительные показатели.

На данный момент времени самым актуальным типом памяти является DDR2-800, но он появился недавно и пока только набирает обороты. Следующий тип (вернее, предыдущий), DDR2-667, является одним из самых распространенных, а DDR2-533 уже начинает сходить со сцены, хотя и присутствует на рынке в должном количестве. Память DDR2-400 нет смысла рассматривать, так как она практически уже исчезла из обихода. Модули памяти каждого типа имеют определенный набор таймингов, а для большей совместимости с имеющимся разнообразием оборудования они немного завышены. Так, в SPD модулей DDR2-533 производители обычно указывают временные задержки 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS), в DDR2-667 — 5-5-5-15 и в DDR2-800 — 5-5-5-18, при стандартном напряжении питания 1,8-1,85 В. Но ничто не мешает их снизить для увеличения производительности системы, а при условии поднятия напряжения всего до 2-2,1 В (что для памяти будет в пределах нормы, но охлаждение все же не помешает) вполне возможно установить еще более агрессивные задержки.

В качестве тестовой платформы для наших экспериментов мы выбрали следующую конфигурацию:

  • Материнская плата: ASUS P5B-E (Intel P965, BIOS 1202)
  • Процессор: Intel Core 2 Extreme X6800 (2,93 ГГц, 4 Мб кэш, FSB1066, LGA775)
  • Система охлаждения: Thermaltake Big Typhoon
  • Видеокарта: ASUS EN7800GT Dual (2хGeForce 7800GT, но использовалось только «половина» видеокарты)
  • HDD: Samsung HD120IJ (120 Гб, 7200 об/мин, SATAII)
  • Привод: Samsung TS-H552 (DVD+/-RW)
  • Блок питания: Zalman ZM600-HP

В качестве оперативной памяти использовалось два модуля DDR2-800 объемом 1 Гб производства Hynix (1GB 2Rx8 PC2-6400U-555-12), благодаря чему появилась возможность расширить количество тестов с различными режимами работы памяти и комбинациями таймингов.

Приведем перечень необходимого ПО, позволяющего проверить стабильность системы и зафиксировать результаты настроек памяти. Для проверки стабильной работы памяти можно использовать такие тестовые программы как Testmem, Testmem+, S&M, Prime95, в качестве утилиты настройки таймингов «на лету» в среде Windows применяется MemSet (для платформ Intel и AMD) и A64Info (только для AMD). Выяснение оправданности экспериментов над памятью можно осуществить архиватором WinRAR 3.70b (имеется встроенный бенчмарк), программой SuperPI, рассчитывающая значение числа Пи, тестовым пакетом Everest (также есть встроенный бенчмарк), SiSoft Sandra и т.д.

Основные же настройки осуществляются в BIOS Setup. Для этого необходимо во время старта системы нажать клавишу Del, F2 или другую, в зависимости от производителя платы. Далее ищем пункт меню, отвечающий за настройки памяти: тайминги и режим работы. В нашем случае искомые настройки находились в Advanced/Chipset Setting/North Bridge Configuration (тайминги) и Advanced/Configure System Frequency (режим работы или, проще говоря, частота памяти). В BIOS’е других плат настройки памяти могут находиться в «Advanced Chipset Features» (Biostar), «Advanced/Memory Configuration» (Intel), «Soft Menu + Advanced Chipset Features» (abit), «Advanced Chipset Features/DRAM Configuration» (EPoX), «OverClocking Features/DRAM Configuration» (Sapphire), «MB Intelligent Tweaker» (Gigabyte, для активации настроек необходимо в главном окне BIOS нажать Ctrl+F1) и т.д. Напряжение питания обычно изменяется в пункте меню, отвечающем за оверклокинг и обозначается как «Memory Voltage», «DDR2 OverVoltage Control», «DIMM Voltage», «DRAM Voltage», «VDIMM» и т.д. Также у различных плат от одного и того же производителя настройки могут отличаться как по названию и размещению, так и по количеству, так что в каждом отдельном случае придется обратиться к инструкции.

Если нет желания поднимать рабочую частоту модулей (при условии возможностей и поддержки со стороны платы) выше ее номинальной, то можно ограничиться уменьшением задержек. Если да, то вам скорее придется прибегнуть к повышению напряжения питания, равно как и при снижении таймингов, в зависимости от самой памяти. Для изменения настроек достаточно необходимые пункты перевести из режима «Auto» в «Manual». Нас интересуют основные тайминги, которые обычно находятся вместе и называются следующим образом: CAS# Latency Time (CAS, CL, Tcl, tCL), RAS# to CAS# Delay (RCD, Trcd, tRCD), RAS# Precharge (Row Precharge Time, RP, Trp, tRP) и RAS# Activate to Precharge (RAS, Min.RAS# Active Time, Cycle Time, Tras, tRAS). Также есть еще один параметр — Command Rate (Memory Timing, 1T/2T Memory Timing, CMD-ADDR Timing Mode) принимающий значение 1T или 2T (в чипсете AMD RD600 появилось еще одно значение — 3Т) и присутствующий на платформе AMD или в чипсетах NVidia (в логике от Intel он заблокирован в значении 2T). При снижении этого параметра до единицы увеличивается быстродействие подсистемы памяти, но снижается максимально возможная ее частота. При попытке изменить основные тайминги на некоторых материнских платах могут ожидать «подводные камни» — отключив автоматическую настройку, мы тем самым сбрасываем значения подтаймингов (дополнительные тайминги, влияющие как на частоту, так и на быстродействие памяти, но не так значительно, как основные), как, например, на нашей тестовой плате. В этом случае придется воспользоваться программой MemSet (желательно последней версии) и просмотреть для каждого режима работы памяти значения подтаймингов (субтаймингов), чтобы установить аналогичные в BIOS’e.

Читать еще:  GS Nanotech впервые в России освоит 3D-корпусирование микросхем

Если названия задержек не совпадут, то тут хорошо проявляет себя «метод научного тыка». Незначительно изменяя дополнительные настройки в BIOS Setup, проверяем программой, что, где и как изменилось.

Теперь для памяти, функционирующей на частоте 533 МГц, можно попытаться вместо стандартных задержек 4-4-4-12 (или какого-либо другого варианта) установить 3-3-3-9 или даже 3-3-3-8. Если с такими настройками система не стартует, поднимаем напряжение на модулях памяти до 1,9-2,1 В. Выше не рекомендуется, даже при 2,1 В желательно использовать дополнительное охлаждение памяти (простейший вариант — направить на них поток воздуха от обычного кулера). Но сперва необходимо провести тесты при стандартных настройках, например в очень чувствительном к таймингам архиваторе WinRAR (Tools/Benchmark and hardware test). После изменения параметров проверяем снова и, если результат удовлетворяет, оставляем как есть. Если нет, как это произошло в нашем тестировании, то при помощи утилиты MemSet в среде Windows (эта операция может привести либо к зависанию системы, либо, что еще хуже, полной неработоспособности ее) или же средствами BIOS Setup поднимаем на единицу RAS# to CAS# Delay и снова тестируем. После можно попытаться уменьшить на единицу параметр RAS# Precharge, что немного увеличит быстродействие.

Тоже самое проделываем для памяти DDR2-667: вместо значений 5-5-5-15 выставляем 3-3-3-9. При проведении тестов нам пришлось также увеличить RAS# to CAS# Delay, иначе быстродействие ничем не отличалось от стандартных настроек.

Для системы, использующей DDR2-800, задержки можно уменьшить до 4-4-4-12 или даже 4-4-3-10, в зависимости от конкретных модулей. В любом случае подбор таймингов сугубо индивидуален, и дать конкретные рекомендации достаточно сложно, но приведенные примеры вполне могут помочь вам в тонкой настройке системы. И не забываем о напряжении питания.

В итоге мы провели тестирование с восемью различными вариантами и комбинациями режимов работы памяти и ее задержками, а также включили в тесты результаты оверклокерской памяти, — Team Xtreem TXDD1024M1066HC4, работавшей на эффективной частоте 800 МГц при таймингах 3-3-3-8. Итак, для режима 533 МГц вышло три комбинации с таймингами 4-4-4-12, 3-4-3-8 и 3-4-2-8, для 667 МГц всего две — 5-5-5-15 и 3-4-3-9, а для режима 800 МГц, как и в первом случае, три — 5-5-5-18, 4-4-4-12 и 4-4-3-10. В качестве тестовых пакетов использовались: подтест памяти из синтетического пакета PCMark05, архиватор WinRAR 3.70b, программа расчета числа Пи — SuperPI и игра Doom 3 (разрешение 1024×768, качество графики High). Латентность памяти проверялась встроенным бенчмарком программы Everest. Все тесты проходили в среде Windows XP Professional Edition SP2. Представленные результаты на диаграммах расположены по режимам работы.

Как видите по результатам, разница в некоторых тестах незначительная, а порой даже мизерная. Это обусловлено тем, что системная шина процессора Core 2 Duo, равная 1066 МГц, имеет теоретическую пропускную способность 8,5 Гб/с, что соответствует пропускной способности двухканальной памяти DDR2-533. При использовании более скоростной памяти ограничивающим фактором быстродействия системы становится шина FSB. Уменьшение задержек ведет к росту быстродействия, но не так заметно, как повышение частоты памяти. При использовании в качестве тестового стенда платформы AMD можно было бы наблюдать совсем другую картину, что мы по возможности и сделаем в следующий раз, а пока вернемся к нашим тестам.

В синтетике рост производительности при уменьшении задержек для каждого из режимов составил 0,5% для 533 МГц, 2,3% для 667 МГц и 1% для 800 МГц. Заметен значительный рост производительности при переходе от памяти DDR2-533 к DDR2-667, а вот смена с 667 на DDR2-800 дает уже не такую прибавку скорости. Также память уровнем ниже и с низкими таймингами вплотную приближается к более высокочастотному варианту, но с номинальными настройками. И это справедливо практически для каждого теста. Для архиватора WinRAR, который достаточно чувствителен к изменению таймингов, показатель производительности немного вырос: 3,3% для DDR2-533 и 8,4% для DDR2-667/800. Расчет восьмимиллионного знака числа Пи отнесся к различным комбинациям в процентном соотношении лучше, чем PCMark05, хоть и незначительно. Игровое приложение не сильно жалует DDR2-677 с таймингами 5-5-5-15, и только снижение последних позволило обойти менее скоростную память (которой, как оказалось, все равно, какие тайминги стоят) на два кадра. Настройка памяти DDR2-800 дала прибавку еще в два кадра, а оверклокерский вариант, который имел неплохой разрыв в остальных тестах, не слишком вырвался вперед относительно менее дорогого аналога. Все же, кроме процессора и памяти, есть еще одно звено — видеоподсистема, которая вносит свои коррективы в производительность всей системы в целом. Результат латентности памяти удивил, хотя, если присмотреться к графику, становится ясно, отчего показатели именно такие, какие есть. Падая с ростом частоты и уменьшением таймингов от режима DDR2-533 4-4-4-12, латентность имеет «провал» на DDR2-667 3-4-3-9, а последний режим практически ничем кроме частоты от предыдущего не отличается. И благодаря столь низким задержкам DDR2-667 запросто обходит DDR2-800, которая имеет более высокие значения, но пропускная способность DDR2-800 позволяет в реальных приложениях все же вырваться вперед.

И в заключение хотелось бы сказать, что несмотря на небольшой процент прироста быстродействия (

0,5-8,5), который получается от уменьшения временных задержек, эффект все же присутствует. И даже при переходе с DDR2-533 на DDR2-800 мы получаем прибавку в среднем 3-4%, а в WinRAR более 20. Так что подобный «тюнинг» имеет свои плюсы и позволяет даже без серьезного разгона немного поднять производительность системы.

iТоги 2006 года. Десктопная оперативная память

2006 год можно назвать вторым годом постепенного, устойчивого эволюционного развития десктопной оперативной памяти типа DDR2. В этом году не было принято новых официальных стандартов этого типа памяти (последняя ревизия документа JEDEC JESD79-2B вышла еще в январе 2005 года, то есть примерно 2 года назад), но состоялись значительно более важные события, способствующие дальнейшему совершенствованию этого типа памяти. Для начала, перечислим их вкратце: это анонс платформы AMD «AM2», введение стандарта Enhanced Performance Profiles (EPP) совместными усилиями компаний Corsair Memory и NVIDIA и, наконец, широкое распространение двухъядерных процессоров, способных в большей степени утилизировать все более возрастающую производительность подсистемы памяти. А теперь рассмотрим подробнее каждый из этих факторов и посмотрим, какой вклад они внесли в развитие технологий десктопной оперативной памяти.

Начнем с анонса новой платформы AMD «AM2» — новой ревизии ядра процессоров AMD Athlon 64 X2 с двухканальным интегрированным контроллером памяти, поддерживающим память стандарта DDR2 (официально — от DDR2-400 до DDR2-800 включительно). До этого момента единственным реальным применением памяти типа DDR2 являлись платформы под процессоры Intel, основанные на чипсетах одноименного производителя (серий Intel 915/925/945/955). В то же время, владельцам платформ AMD и новым покупателям, отдающим предпочтение процессорам этой компании, приходилось довольствоваться памятью уже устаревающего стандарта DDR. Официально — DDR-400, с некоторой натяжкой — модулями памяти неофициальной категории вплоть до «DDR-550» (процессоры AMD K8 ревизии E по своим заявленным характеристикам способны работать с памятью DDR на частоте до 275 МГц, реальный предел ограничен частотами примерно 233-250 МГц, что связано с ограничением на использование только целых делителей для частоты памяти по отношению к частоте ядра процессора). Однако согласитесь, что даже сравнительно редкие (и, что немаловажно, существенно более дорогие) модули памяти «DDR-550» выглядят далеко не так привлекательно, как DDR2-667 и, тем более, DDR2-800 и выше. С момента анонса новой платформы AMD ситуация уравнялась, новая платформа достаточно быстро получила сравнительно широкое распространение и, можно сказать, практически вытеснила модули памяти DDR из сектора high-end, и даже mid-range решений.

На первый взгляд, все выглядит хорошо, однако посмотрим, насколько полноценной оказалась поддержка DDR2 в новой платформе от AMD. Для этого обратимся к нашим исследованиям, описанным в статьях «Двухканальная DDR2-800 на платформе AMD Athlon 64 X2 «AM2» — первые результаты исследования нового интегрированного контроллера памяти в RightMark Memory Analyzer» и «Двухканальная DDR2-800 на платформе AMD Athlon 64 X2 «AM2». Часть 2: процессор AMD Athlon 64 FX-62». Проведенные исследования позволили сделать ряд важных выводов, важнейший из которых заключается в том, что современная оперативная память (даже на уровне обычной на сегодняшний день двухканальной DDR2-800) обладает столь высоким потенциалом пропускной способности, что определенно перестает быть «узким местом» системы. Действительно, мы показали, что пропускная способность двухканальной DDR2-800 (12.8 ГБ/с) оказывается сопоставимой со скоростью передачи данных внутри самого ядра процессора (средняя скорость обмена данными по L1-L2 шине процессора оказывается равной всего 8.0 ГБ/с при частоте ядра процессора 2 ГГц). Отчасти, ситуацию спасает использование более высоких тактовых частот процессорного ядра (как было показано во второй части исследования с процессором Athlon 64 FX-62), однако для полноценного раскрытия потенциала явно требуется кардинальная переделка уже довольно устаревшей (примерно 5-летней давности) архитектуры процессора. Резюмируя вышесказанное, применительно к оперативной памяти, скажем следующее: поддержка DDR2 в новых процессорах AMD «AM2» была реализована, причем достаточно полноценно и качественно (интегрированный контроллер памяти не вызывает нареканий), однако сами процессоры, архитектура которых осталась все той же, оказались не способны в полной мере востребовать ее высокий потенциал, характерный для высокоскоростных модулей. Утилизация пропускной способности двухканальной DDR2-800 в лучшем случае не превышала 70%.

Как бы там ни было, развитие технологии памяти DDR2 пошло вверх — прежде всего, по частотам (в сторону их увеличения) и таймингам (в сторону уменьшения). Отметка в 500 МГц («DDR2-1000») была покорена еще в прошлом году, поэтому новым неофициальным «стандартом» этого года можно признать модули памяти скоростной категории «DDR2-1066» (с типичной для них схемой таймингов 5-5-5-15-2T). Достижению этой отметки способствовало принятие нового стандарта, совместно разработанного компаниями Corsair и NVIDIA, именуемого Enhanced Performance Profiles (EPP). Суть этого стандарта заключается в записи дополнительных параметров тонкой настройки подсистемы памяти в ранее неиспользуемую область микросхемы SPD (Serial Presence Detect) модулей памяти. При этом «стандартная» часть данных SPD по-прежнему включает в себя только самые основные параметры памяти стандарта JEDEC, тогда как новые Enhanced Performance Profiles содержат множество важных временных и электрических параметров, обойденных в стандартных SPD, — таких как задержки командного интерфейса (Command Rate) и напряжение питания модулей. Применение такого подхода позволяет модулям памяти, оснащенным EPP, работать в соответствии с их оптимальными режимами работы, заданными производителем, сохраняя при этом совместимость со стандартом JEDEC. Для полной реализации преимуществ Enhanced Performance Profiles необходима поддержка этого стандарта со стороны материнских плат — они должны быть в состоянии как распознать наличие профилей EPP, так и установить рабочий режим модулей памяти в соответствии с данными этих профилей.

Вполне очевидно, что первыми модулями, поддерживающими новый стандарт EPP, стали модули памяти от одного из разработчиков стандарта — компании Corsair (XMS2-8500C5, представляющие собой 2-ГБ комплект модулей DDR2-1066 с задержками 5-5-5-15-2T), в то время как поддержка EPP в материнских платах была достаточно быстро реализована крупнейшими производителями системных плат под новую платформу AMD «AM2», основанных на чипсетах NVIDIA nForce 570/590 SLI. Быстрому появлению таких материнских плат способствовало удачное сочетание обстоятельств — практически одновременный анонс платформы AMD «AM2» и стандарта EPP. Несмотря на разработку стандарта EPP компаниями Corsair и NVIDIA, применение стандарта EPP вовсе не ограничилось продукцией компании Corsair — в достаточно скором времени инициатива была подхвачена такими ведущими компаниями-производителями памяти, как OCZ, Kingston, A-DATA, Crucial Technology и др.

Применение профилей EPP, задающих оптимальный режим работы подсистемы памяти, способствовало дальнейшему росту частот памяти, с одной стороны, и снижению ее задержек — с другой. Рекорды частоты и таймингов ставились один за другим. Среди важнейших достижений индустрии, в хронологическом порядке, отметим анонсы модулей Corsair TWIN2X2048-6400C4 (DDR2-800, 4-4-4-12-2T) и TWIN2X2048-8500C5 (DDR2-1066, 5-5-5-15-2T), GeIL DDR2-1066 PC8500 Ultra (5-5-5-15, реально достигающие рейтинг PC9600 DDR2-1200, 4-5-4-10), OCZ PC2-9000 Ti Alpha VX2 (DDR2-1120), модулей памяти японского производителя CFD Firestix PC2-10000 (DDR2-1200) с возможностью работы на частоте до 625 МГц (DDR2-1250), Buffalo DDR2 PC2-10000 (DDR2-1250), «низколатентных» модулей Corsair TWIN2X2048-6400C3 (DDR2-800, 3-4-3-9-2T), а также модулей Kingston HyperX PC9200 (DDR2-1150, 5-5-5-15) и PC9600 (DDR2-1200, 5-5-5-15). Таким образом, реальный частотный предел технологии DDR2 на сегодня составляет уже 625 МГц (DDR2-1250), а предел по таймингам модулей при стандартной частоте (DDR2-800) — CL=3. И в том, и в другом случае столь экстремальный разгон достигается ценой значительного повышения питающего напряжения модулей — до 2.4-2.5 В включительно. Чтобы оценить, насколько велико такое значение напряжения, напомним, что по стандарту JEDEC напряжение питания модулей памяти DDR2 составляет всего 1.8 В, тогда как цифра в 2.5 В привычна для модулей памяти предыдущего поколения — стандарта DDR. Естественно, столь значительное увеличение напряжения питания (примерно на 38%) привело к пропорциональному увеличению рассеиваемой мощности (в первом приближении, по квадратичной зависимости — примерно на 93%), что существенно затрудняет дальнейший рост частот DDR2. Возможными вариантами решения проблемы могут являться либо переход на новый стандарт DDR3 (о нем мы вкратце поговорим несколько позже), либо применение нетривиальной системы охлаждения модулей. По этому пути пошли компании Corsair и OCZ. Первая из них к концу года представила модули серии DOMINATOR (TWIN2X2048-9136C5D, DDR2-1142, 5-5-5-15-2T и TWIN2X2048-8888C4D, DDR2-1111, 4-4-4-12-2T, реально способные работать на частотах 600-625 МГц) с уникальной технологией охлаждения Dual-path Heat Xchange (DHX) и опциональной воздушной системой охлаждения DOMINATOR Airflow Fans. Вслед за ней, о выпуске подобных продуктов объявила компания OCZ Technology, представив модули OCZ PC2-9200 (DDR2-1150, 5-5-5-18, 2.4 В) с технологией FlexXLC (Xtreme Liquid Connection), позволяющей опционально подключать модули к системе водяного охлаждения для дополнительного разгона.

Читать еще:  Лучшие медиа-проигрыватели. Часть 1

Такова тенденция развития высокоскоростного и «низколатентного» направления памяти DDR2. Однако мы уже неоднократно всерьез задавались вопросом об осмысленности этого пути развития. Отчасти, эта тема уже была затронута выше, в связи с рассмотрением новой платформы AMD «AM2», для которой даже двухканальная DDR2-800 уже оказалась в некоторой мере избыточной. Однако «избыточность» подсистемы памяти по пропускной способности была выявлена лишь в случае «одноядерного» доступа к ней, то есть, в первом приближении, при использовании лишь половины потенциала современных двухъядерных процессоров. В связи с этим, закономерно возникает вопрос — быть может, высокоскоростные модули памяти окажутся востребованными для двухъядерных систем, при обращении к памяти обоих ядер процессора? Ответом на этот вопрос явилось наше очередное низкоуровневое исследование, именуемое «Двухканальная DDR2-800 на платформах с двухъядерными процессорами AMD Athlon 64 X2 и Intel Core 2 Duo: исследование эффективности «двухъядерного» доступа к памяти». В этом исследовании мы изучили эффективность одновременного обращения к памяти со стороны обоих ядер современных двухъядерных процессоров — Intel Core 2 Duo и AMD Athlon 64 X2 и показали, что «двухъядерный» доступ к памяти действительно приводит к увеличению утилизации ее пропускной способности. Однако такое увеличение нельзя считать заметным. Так, на платформе Intel Core 2 Duo «узким местом» системы выступила 266-МГц системная шина с пиковой пропускной способностью 8.53 ГБ/с (для сравнения, пиковая ПСП двухканальной DDR2-800 составляет 12.8 ГБ/с). Что касается платформы AMD «AM2» — где, казалось бы, при доступе в память сразу двумя ядрами передача данных могла бы осуществляться параллельно с удвоенной скоростью, реальный прирост ПСП составил лишь примерно 17% (абсолютный показатель максимальной реальной ПСП — 9.3 ГБ/с). По всей видимости, новым ограничением платформы AMD «AM2» явились особенности реализации общей шины системных запросов и/или шины памяти интегрированного контроллера памяти. Как бы там ни было, факт остается фактом: реальный потенциал даже двухканальной DDR2-800 в очередной раз остался нераскрытым, не говоря уж о более скоростных ее вариантах — от DDR2-1066 до DDR2-1200+.

Тем не менее, в направлениях развития DDR2 в 2006 году можно наметить еще одну тенденцию, на сей раз практически полезную. Как ни странно, развитие этой тенденции обусловлено не эволюцией платформ, а грядущим выходом новой операционной системы от Microsoft — Windows Vista, весьма требовательной к объемам памяти (отмечается, что для комфортной работы в этой ОС потребуется 2-4 ГБ оперативной памяти). Поэтому, обозначенная тенденция заключается в увеличении объема памяти, приходящегося на один модуль. Типичной на сегодняшний день продукцией производителей памяти можно считать модули, представляющие собой 2-ГБ двухканальные комплекты из двухбанковых (16-микросхемных) модулей памяти емкостью 1 ГБ каждый. Компании-производители памяти ставят своей задачей увеличение этого объема до 2 ГБ на модуль. Первой о себе заявила компания PQI, представившая под слоганом «Будь готов к Vista!» 2-ГБ модули памяти далеко не самой высокоскоростной категории DDR2-533 (3-3-3-8). С намного более серьезным заявлением ближе к концу года выступила компания G.Skill, представив 2-ГБ варианты модулей DDR2-667 MQ (5-5-5-15) и DDR2-800 MQ (6-6-6-18). Все из перечисленных модулей функционируют при сравнительно высоких задержках (а также при стандартном напряжении питания), однако не следует забывать, что рассчитаны они, скорее, на массового потребителя, нежели на энтузиастов-оверклокеров.

Напоследок, несколько слов о грядущей памяти нового стандарта DDR3, ранние образцы которой были представлены некоторыми производителями еще в прошлом году. Напомним, что DDR3 можно считать естественным продолжением развития идеологии DDR: переход от DDR2 к DDR3 аналогичен переходу от DDR к DDR2. Он предполагает введение новой схемы 8n-prefetch вместо 4n-prefetch, применяемой в настоящее время в DDR2 (напомним, что в DDR, соответственно, применялась схема 2n-prefetch), что проявляется в виде дальнейшего уменьшения вдвое собственной частоты функционирования микросхем памяти (этим достигается уменьшение их энергопотребления, но ценой увеличения задержек) и увеличением во столько же раз частоты «внешнего интерфейса» модулей памяти. Так, планируемая частота функционирования первых модулей DDR3 составляет 800 МГц с возможностью роста до 1600 МГц (что ровно в 2 раза превосходит официальный частотный предел DDR2). Важным шагом в этом направлении в 2006 году можно считать анонс компаний AMD и SimpleTech о совместной работе по формированию спецификации модулей памяти данного типа. Отмечается, что емкость модулей DDR3 будет находиться в пределах от 512 Мб до 32 Гб. Что касается сроков выхода продукции, тестирование модулей должно начаться в 2007 году, а серийный выпуск — лишь в 2008 году. Однако вышеназванные компании — далеко не единственные участники развития этого направления индустрии. Так, один из производителей памяти, пожелавший остаться неизвестным, сообщает о значительно более ранних сроках анонса и поставок модулей памяти DDR3 — вместе с выходом первых чипсетов семейства Intel Bearlake.

Это лишь предположения, а как оно окажется на самом деле — поживем, увидим. Самое главное, чтобы ведущие производители платформ (прежде всего, процессоров и чипсетов) к тому моменту всерьез задумались о том, что «узким местом» системы все в большей и большей мере становятся именно эти компоненты платформы, а вовсе не подсистема памяти. Ведь диапазон пропускной способности грядущей DDR3 выглядит весьма внушительно — от 12.8 ГБ/с для DDR3-800 (в двухканальном режиме) до 25.6 ГБ/с для DDR3-1600, тогда как типичная полоса пропускания данных внутри процессоров и/или чипсетов на сегодня едва ли превышает даже 10 ГБ/с. Как показали наши недавние исследования, не сильно спасает положение и «двухъядерность» современных процессоров. Так что, чтобы получить реальную выгоду от DDR3, переделку компонентов платформы придется осуществлять на гораздо более глубоком уровне.

Как выбрать оперативную память

Характеристики оперативной памяти

Нужно знать, какая память бывает, потому что не всегда удаётся найти точно такую же модель. К счастью, разных типов памяти не много и всегда можно найти замену с подходящими характеристиками. Особенно если ищете оперативную память для ноутбука — в готовый продукт ставят OEM-комплектующие, не всегда доступные в магазинах.

Форм-фактор

Внешне платы ОЗУ отличаются форм-фактором (размером). Есть DIMM — стандартный для настольного ПК, есть SO-DIMM — в два раза меньше стандартного, предназначенный для в ноутбуков. Ах да, ещё чипы оперативной памяти могут быть распаяны прямо на материнской плате — такую не заменить. DIMM, кстати, может быть низкопрофильным, с меньшей высотой. Такой вариант нужен для тех случаев, когда кулер, охлаждающий процессор, своим радиатором перекрывает разъём оперативной памяти и для стандартной DIMM просто нет места.

Тип DDR — 1, 2, 3, 4

За редким исключением, материнской платой компьютера поддерживается только один тип (поколение) памяти: тот, который сейчас установлен.

Зная только тип памяти, выводы о производительности памяти делать не стоит. DDR4 однозначно быстрее, чем старая DDR1, но между DDR2 и DDR3, DDR3 и DDR4 разница не столь очевидна, старое поколение может оказаться быстрее. Всё дело в параметрах, о которых дальше.

Тайминги

Оперативная память — это плата с распаянными на ней чипами. Внутри чипов находятся ячейки памяти, которые без электропитания хранят данные очень недолго. Нужно все время их обновлять с помощью повторяющихся электрических импульсов определённой силы, длительности и со строго выверенными паузами. Тайминги оперативной памяти — это длительность тех самых импульсов и пауз. Кстати, они настолько короткие, что измеряются наносекундами!

Чем меньше тайминги, тем быстрее можно обновить данные, тем производительней память. Меньше = лучше. Но тайминги сами по себе ничего не решают, потому что они зависят от не менее важного параметра — тактовой частоты памяти.

Тактовая частота, частота шины, пропускная способность

Тактовая частота оперативной памяти — частота (количество импульсов в секунду), с которой работает оперативная память. Измеряется в мегагерцах. Один мегагерц — это миллион импульсов в секунду. Чем выше, тем лучше.

Ещё есть тактовая частота шины («DRAM Frequency» в программе Speccy) — частота канала, по которому идёт обмен данными между оперативной памятью и процессором. Выше — лучше.

Пропускная способность — это сколько за секунду времени может быть «пропущено» данных через плату оперативной памяти. Вычисляется умножением частоты памяти на объем данных, передаваемых за один такт. Чем выше, тем лучше. Измеряется в мегабайтах в секунду. Чаще всего производителем и магазинами указывается пиковая пропускная способность — теоретическая максимальная пропускная способность. Чтобы сразить громадными цифрами покупателя, не иначе.

Объём

С каждым годом выходят всё более ёмкие платы ОЗУ. Сейчас в магазинах вы найдете платы на 512 Мб, 1, 2, 4, 8 и 16 гигабайт. Есть и больше, но только для серверов.

На данный момент 8 Гб оперативки — это комфортный минимум для игр. 4 Гб — минимум для офисного компьютера. Чем лучше, тем больше.

Напряжение

В зависимости от моделей ОЗУ, стандартное напряжение у плат бывает в диапазоне:

Помимо «обычных» плат DDR3 и DDR4, существуют энергоэффективные версии — DDR3L и DDR4L. «L» версии по умолчанию работают при более низком напряжении.

  • DDR3L — 1,35 вольт.
  • DDR4L — 1,05 вольт.

Максимальный порог напряжений такой же, как и у обычной памяти — 1,65 и 1,4 вольта соответственно.

Как правило, оперативная память работает корректно без лишних телодвижений со стороны пользователя — требуемое напряжение, как и другие характеристики (тайминги), определяется автоматически, ничего регулировать не надо.

Но иногда всё же приходится лезть в BIOS (настройки материнской платы), чтобы выставить корректное напряжение. Такое происходит, когда в ПК установлена планка, по умолчанию работающая на напряжении выше 1,5 вольта, вместе с «обычной» или Low Energy версией. Например, у меня в ПК установлены две планки DDR3 AMD Performance Edition, которые по умолчанию работают при напряжении 1,65 V, и пара безымянных планок с Ebay, купленных на распродаже, для которых номинальное напряжение — более популярное 1,5 V. Так как напряжение ставится одно на всех, матплата решила подать 1,65 V. В принципе, при таких условиях может работать даже DDR3L, но так как я точно знаю, что планки от AMD в моём ПК отлично работают даже на 1,4 V, я выставил принудительно 1,5 вольта. Кто знает, какие компоненты стоят в безымянной памяти, вдруг именно в моём случае они не рассчитаны на такое напряжение?

Если же вы, допустим, поставите в настольный ПК платы DDR3 1,5 V и DDR3L 1,35 V, ничего страшного не произойдёт — обе будут работать под напряжением 1,5 V. С ноутбуками ситуация иная: иногда силовая часть материнских плат не рассчитана на питание большее, чем у комплектной памяти в «L» исполнении, тогда при установке более энергоёмкой платы возможна нестабильная работа и/или перегрев.

Так в чем измеряется скорость оперативной памяти?

Зная пропускную способность, становится проще понять, какая память быстрее. Остальные характеристики могут ввести в заблуждение. Например, у памяти может быть высокая частота, но медленные тайминги — в итоге пропускная способность будет такой же, как у памяти с низкой частотой, но быстрыми таймингами.

К сожалению, производители любят нагружать потребителя странными цифрами, обзывая память каждый по-своему. Поэтому специально для вас подготовил несколько табличек, которые прояснят ситуацию и позволят, зная тип оперативной памяти и одну из частот, узнать пиковую пропускную способность. По ней и решайте, какая память быстрее.

Ссылка на основную публикацию
Статьи c упоминанием слов:
Adblock
detector