0 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Память DDR4: время ли разбрасывать камни?

Содержание

Память DDR4: время ли разбрасывать камни?

Прошло относительно немного времени с тех пор, как современная оперативная память стандарта DDR3 заменила собой привычные модули DDR2 и постепенно превратилась из дорогого экзотического удовольствия с сомнительной производительностью в массовый продукт, востребованный всеми сегментами рынка. Совсем недавно – каких-то три года назад, составляя публикацию FAQ по DDR3, мне в большинстве случаев приходилось говорить о возможностях DDR3 в будущем времени.

Появление нового стандарта оперативной памяти DDR4 уже не за горами. По прогнозам экспертов JEDEC Solid State Technology Association (ранее Joint Electron Devices Engineering Council), независимой индустриальной организации по разработке и принятию стандартов в полупроводниковой промышленности, первые прототипы модулей DDR4 SDRAM появятся уже в следующем году, когда будут оформлены окончательные спецификации стандарта. Начало массового коммерческого производства DDR4 сейчас планируется на 2012 год, а полномасштабный переход с DDR3 на DDR4 ожидается ближе к 2015 году.

До недавнего времени о стандарте DDR4, впервые представленном на форуме Intel для разработчиков в Сан-Франциско в 2008 году, было известно относительно немного. В целом, обсуждались грядущие тактовые частоты, напряжение питания да предполагаемые нормы техпроцесса. Никакой особой конкретики по архитектуре чипов, топологии интерфейсов или сигнальным параметрам не было. По большому счёту, полной ясности в этих вопросах нет и сейчас, однако конференции Denali MemCon10 и MemCon Tokyo 2010, прошедшие в конце июля в Санта Клара и Токио, добавили некоторой определённости будущему стандарту.

Благодаря компании Denali в распоряжении нашей компании оказался полный пул докладов, презентаций и обсуждений, озвученных в рамках MemCon10, так что сегодня мы предлагаем вашему вниманию «выжимку» известной информации о будущем DDR4.

⇡#Как и почему DDR3 тормозит появление DDR4

Прежде всего, надо понимать одну простую вещь: переход на новый стандарт происходит не по приказу свыше или чьему-то капризу, а в связи с неспособностью продуктов предыдущего поколения справляться с поставленными задачами. То есть, потребность в DDR4 возникнет сразу же после того, как DDR3 полностью исчерпает свои возможности.

Именно в этом и заключается ключевая интрига с переносом сроков внедрения DDR4 на более поздние сроки, нежели планировалось ранее. Об этом в ходе MemCom10 подробно рассказал Билл Герваси (Bill Gervasi), вице-президент US Modular и член совета директоров JEDEC. На сегодняшний день возможности архитектуры DDR3 вряд ли можно назвать исчерпавшими себя, так что пока есть смысл продолжать развитие этого стандарта и дальше. И чем больше удастся «выжать» из DDR3, тем дальше будут переноситься сроки внедрения DDR4.

Посмотрим на сложившуюся ситуацию. По традиции, производительность нового поколения памяти обычно стартует с тех позиций, на которых «захлебнулось» предыдущее поколение. Напомним, что память DDR3 стартовала с отметки DDR3-1066, на которой остановилась экспансия массовой памяти DDR2 (DDR2-400/1066).

На сегодняшний день память DDR3-1333 представляет собой массовый общепринятый индустриальный стандарт. На рынке предостаточно модулей памяти DDR3-1600, встречаются DDR3-1866, и не счесть всевозможных нестандартных вариантов вроде DDR3-2000.

Ранее ожидалось, что возможности массовой памяти DDR3 будут исчерпаны где-то в районе производительности уровня DDR3-1600. С этой отправной точки предполагалось восхождение памяти DDR4, однако совсем недавно спецификации DDR3 пополнились стандартизированной версией DDR3-2133.

Таким образом, при наличии сертифицированных стандартных модулей DDR3-2133 появление памяти стандарта DDR4-1600 попросту теряет всякий смысл. Современный, более реалистичный роадмэп, озвученный на конференции MemCon10, предполагает, что в рамках стандарта DDR4 скорость модулей составит от DDR4-2133 до DDR4-4266.

Однако растущая производительность – не единственный «козырь», продлевающий жизнь стандарта DDR3 и отдаляющий появление DDR4. Ещё один важный момент – энергопотребление, напрямую связанное с напряжением питания чипов памяти. Первоначально предполагалось, что напряжение питания новой памяти DDR4 составит 1,2 В, и затем появятся новые поколения чипов с питающим напряжением 1,1 В и 1,05 В. В то же время, для DDR3, впервые представленной в 1,5 В варианте, экспансия должна была закончиться на нынешних 1,35 В чипах. Однако выпуск низковольтной памяти DDR3 с напряжением питания всего 1,25 В делает появление 1,2 В памяти DDR4 преждевременным, так как более высокие частоты работы памяти значительно увеличивают энергопотребление.

Третий важный момент – растущая ёмкость модулей, и здесь DDR3 вновь не готова сдавать позиции. Появление низковольтных чипов DDR3 емкостью 4 Гбит и 8 Гбит позволяет наладить выпуск очень ёмких модулей памяти с низким энергопотреблением, что также делает появление DDR4 в ближайшее время неактуальным .

⇡#Мир никогда не будет прежним: новая архитектура и топология DDR4

В своё время, при переходе от памяти DDR2 к DDR3 разработчиками нового по тем временам стандарта был сделан революционный шаг. Типичная для DDR2 топология подключения шины памяти «звёздочкой» была заменена на сетевую (Fly-by) топологию командной, адресной и управляющей шин, с внутримодульной (On-DIMM) терминацией и прецизионными внешними резисторами (ZQ resistors) в цепях калибровки.

Однако сколько верёвочке не виться, а шине с многоточечной топологией линий передач данных всё же приходит конец, как он давным-давно пришёл для графической памяти GDDR. Не те нынче скорости, не те потребности в объёмах передаваемых данных.

Как однозначно выразился по этому поводу Билл Герваси, «Multi-drop bus must die«. Применительно к стандарту DDR4 это означает, что место многоточечной топологии займут соединения типа «точка-точка», иначе не добиться значительного прироста производительности.

Из этого следует, что подсистема памяти DDR4 позволит поддерживать только один единственный модуль памяти на каждый канал. Вряд ли это окажет существенное воздействие на рынок мобильных и настольных ПК, хотя увеличение объёмов оперативной памяти не помешает никому, однако наиболее важным этот вопрос будет для серверного рынка. Как же наращивать количество памяти в условиях таких жёстких канальных ограничений?

Выходов из ситуации на сегодняшний день придумано несколько.

Первый – самый логичный: необходимо наращивать ёмкость собственно чипов и модулей памяти. Один из перспективных способов – изготовление многоярусных чипов по технологии TSV (Through-Silicon Via), которую также называют «объёмной», или просто 3D.

С многослойными (MLP) чипами флэш-памяти технология TSV имеет лишь отдалённое сходство, однако понять суть формирования чипа в самых общих чертах такая аналогия помогает. Идея, кстати, отнюдь не нова, так как ещё в 2007 году компания Samsung Electronics объявила о выпуске первых многоярусных 512-Мбит чипов DRAM по технологии TSV.

Именно эту технологию планирует использовать для выпуска DDR4 консорциум из компаний Elpida Memory, Powertech Technology и United Microelectronics (UMC). Совместными усилиями они намерены развивать технологию TSV (Through-Silicon Via) для выпуска многослойных 3D чипов, объединяющих логику и память. В рамках проекта будет разрабатываться технология выпуска многослойных чипов для норм 28-нм техпроцесса на базе технологий DRAM компании Elpida, сборочных предприятий компании PTI и производственных мощностей UMC по выпуску логики. Таким образом, планируется добиться выпуска относительно недорогих чипов памяти DDR4 очень высокой ёмкости.

Над внедрением технологии TSV также активно работает компания Hynix, которая в рамках Denali MemCon10 рассказала о собственных планах выпуска ёмких чипов DDR и GDDR на ближайшие годы. По словам представителей компании, разработка методик применения TSV в настоящее время находится в зачаточном состоянии, и пока трудно оценить, какие плюсы это может принести в будущем.

Ещё один хорошо известный и уже зарекомендовавший себя способ — использование техники так называемой «разгружающей памяти» — LR-DIMM (Load-Reduce DIMM). Суть идеи состоит в том, что в состав модуля памяти LR-DIMM входит специальный чип (или несколько чипов), буферизирующих все сигналы шины и позволяющих увеличить количество поддерживаемой системой памяти.

К примеру, на сегодняшний день компании Samsung и Micron уже освоили технологию выпуска модулей памяти стандарта DDR3 LR-DIMM объемом 32 Гб. Ничто не ограничивает применение этой технологии и при выпуске памяти DDR4. Правда, не стоит забывать про, пожалуй, единственный, но от этого не менее существенный недостаток LR-DIMM: буферизирование неизбежно ведёт к дополнительному увеличению латентности, которая у памяти DDR4 по определению будет и без того немаленькая.

Для сегмента серверных и high-end вычислений, где востребован очень большой объём памяти, предлагается совершенно иной выход из ситуации. Здесь предполагается использование высокоскоростной коммутации специальными многовходовыми чипами-коммутаторами.

Как известно, CAS-латентность (задержка между отправкой в память адреса столбца и началом передачи данных) нынешней памяти DDR3 составляет 5 – 16 тактов, для GDDR5, соответственно, 5 — 36 тактов; при этом tRFC для DDR3 составляет 90 – 350 нс. В частности, для памяти DDR3-2133 типичные тайминги составляют 12-12-12 против 9-9-9 многих модулей DDR3-1333. К сожалению, тайминги и латентность памяти DDR4 мы пока что не можем оценить даже теоретически, ибо, напомню, выпуск финальных спецификаций DDR4 планируется JEDEC не ранее 2012 года. Буфера предвыборки 8n, рассчитанную на выборку 8 слов данных за одно обращение к памяти у DDR3, действительно сменит Prefetch16 у DDR4, однако как именно это скажется на общей производительности, без знания остальных ключевых характеристик DDR4 оценить трудно.

⇡#Просуммируем

Уже сейчас, задолго до появления первых модулей памяти DDR4 SDRAM на прилавках наших магазинов, можно уверенно сказать: процесс перехода с DDR3 на DDR4 будет более сложным и более продолжительным, нежели в своё время переход с DDR2 на DDR3, который, как мы все помним, тоже был не сахар и закончился совсем недавно.

Тяжелее придётся всем – и производителям чипов, и производителям модулей памяти. За счёт изменения топологии и архитектуры памяти сложнее придётся и производителям системных плат, и системным интеграторам. Разумеется, достанется и нам, конечным пользователям, которые в итоге оплатят весь этот «праздник» перехода на новые стандарты из своего кошелька.

Отчасти переход на новый тип памяти тормозится технической неготовностью индустрии к выпуску DDR4. Например, чтобы выпускать чипы памяти DDR4 с напряжением питания хотя бы 1,2 В, необходимо сначала толком осилить 30-нм техпроцесс, а ведь в результате получится не самый экономичный чип даже по сравнению с нынешними 1,25 В вариантами DDR3 из-за более высокого энергопотребления на более высоких рабочих частотах. Меньшее напряжение питания транзисторных ядер, и, соответственно, меньшее энергопотребление чипов будут реальны только с освоением примерно 20-нм норм техпроцесса, что произойдёт не ранее 2012-2013 годов.

Острую необходимость в более производительной памяти сегодня удаётся снизить благодаря расширению спецификаций DDR3 до поддержки режима DDR3-2133, что уменьшает необходимость срочного появления нового поколения памяти. Первоначальная версия DDR4-1600 вряд ли вообще будет выпущена ввиду неактуальности.

На сегодняшний день предполагается, что модули памяти DDR4 будут представлены в вариантах от DDR4-2133 до DDR4-4266. Ожидается, что первые чипы DDR4, выпущенные с соблюдением норм 32-нм/36-нм техпроцессов, появятся уже в следующем, 2011 году, а собственно стандарт DDR4 в окончательной редакции будет принят JEDEC в 2012 году.

Затем стартует многолетняя эпопея по постепенному замещению DDR3 на DDR4, которая, по предварительным оценкам, проявит себя всерьёз к 2015 году, и затем ситуация начнёт развиваться по нарастающей.

Так что в любом случае, на сегодня основной вывод один: несколько спокойных лет с памятью DDR3 у нас ещё есть.

Изучаем зависимость быстродействия от скорости работы памяти DDR4

При сборке нового компьютера, если предполагается установка топового процессора, неизбежно возникает вопрос, а какую память желательно ставить? Скорее всего, самым правильным ответом будет – самую быструю. Так ли это на самом деле? Нужна ли высокоскоростная память, оправдает ли ее использование высокую ее стоимость? Ресурс uk.hardware.info провел любопытное исследование зависимости скорости работы процессора от частоты работы памяти. Вот и давайте сделаем попытку разобраться, какую оперативную память DDR4 выбрать, какая скорость работы нужна, а на чем можно и сэкономить. С результатами предлагаю познакомиться.

Читать еще:  MP3-CD плейер ID3 (MP-3000)

Цель тестирования

Конечная цель – определить тот оптимум, то соотношение цена/производительность, при котором и персональное земноводное будет удовлетворено, и процессор сможет раскрыть весь свой потенциал. Да и собственное эго будет не в накладе, ибо не лохи же какие-нибудь, чтобы ставить к топовому CPU самую дешевую память.

Тут есть еще два момента. Во-первых, насколько используемое ПО (прикладное, игры и т. п.) способно использовать возможности более быстродействующей памяти, и, во-вторых, насколько аппаратная часть собираемого компьютера совместима с выбранными модулями памяти.

Если первое можно определить только практически, выполнив тесты, то с возможностью использования того или иного модуля можно определиться сразу, из-за чего отпадут некоторые варианты. Речь, конечно же, в первую очередь об АМД. Интеловские «камни» прекрасно работают с памятью DDR4-4000, а вот для Ryzen при частотах более 3000 МГц уже могут возникнуть сложности. По крайней мере, DDR4-4000 для них бесполезна.

Речь сейчас не идет о разгоне. Это отдельная тема. В штатном же режиме и Intel, и AMD официально поддерживают DDR4-2666, а вот дальше уже возможны варианты.

Для проверки, насколько масштабируется ПО в зависимости от скорости ОЗУ, были выбраны два топовых мэйнстримовских процессора Intel Core i7 8700K и AMD Ryzen 7 2700X. Проверки проводились на комплекте памяти G.Skill Trident Z объемом 16 ГБ, которая без проблем работает на частотах вплоть до 4000 МГц.

Видеокарта — NVidia GeForce GTX 1080 Ti, и чтобы даже этот мощный графический чип не стал узким местом, использовались игры, которые больше зависят от процессора, нежели от GPU.

Учитывая специфику работы памяти обоих процессора, вернее, в основном, AMD, были выбраны следующие частоты работы ОЗУ:

  • CPU Intel – 2133 МГц с CL13, 2666 МГц с CL14, 3200 МГц с CL14 and 4000 МГц с CL
  • CPU AMD – 2133 МГц с CL13, 2666 МГц с CL14, 2933 МГц с CL14,3200 МГц с CL14 and 3600 МГц с CL

Большую часть тестов составляют игры Assassin’s Creed Origins, Battlefield 1, F1 2017, GTA V и Rainbow Six Siege. Как было сказано выше, выбор в первую очередь обусловливался их процессорозависимостью. Тестирование проводилось при разрешениях FullHD (1920×1080) и WQHD (2560×1920). Использовались средние и ультра настройки графики.

Помимо игр, было проверено быстродействие в некоторых бенчмарках и прикладных программах.

Результаты тестирования в играх

Assassin’s Creed Origins

Игра известна тем, что хорошо «грузит» процессор.

Собственно, это видно по полученным результатам, особенно с процессором Intel и, в первую очередь, при FullHD разрешении. Разница между «базовой» частотой 2133 МГЦ и максимальной 4000 МГц составила 10-11% в зависимости от настроек графики. При переходе на более высокое разрешение, разница в количестве FPS снижается до 2-4%.

AMD Ryzen меньше реагировал на изменение скорости работы ОЗУ. Максимальный эффект от использования более скоростной памяти в разрешении FullHD составил 6%.

Battlefield 1

В этой игре при использовании процессора Intel на средних настройках графики в разрешении FullHD видеокарта упирается в максимальные 200 FPS и практически не зависит от быстродействия ОЗУ. Та же самая картина и в более высоком разрешении. Смысла в быстрой памяти в данном случае никакого.

Вот у AMD ситуация иная. Зависимость от быстродействия памяти налицо, и достигает 12-15% в зависимости от настроек графики в разрешении FullHD. При ультра настройках в разрешении WQHD различия скорости работы памяти сказываются гораздо меньше, причем больше всего проигрывает самый «тихоходный» комплект ОЗУ. Начиная с частоты 2666 МГц различия укладываются в процент.

F1 2017

Гоночные симуляторы, как правило, меньше зависят от видеокарты, но вот на быстродействие процессора, памяти и проч. обращают гораздо больше внимания. Подтверждают это и результаты.

Для Intel разница между самым медленным и самым быстрым комплектом ОЗУ составила 21% при средних настройках графики в FullHD. Переход на ультра настройки снизил этот результат почти вдвое. При разрешении WQHD использование самой быстрой памяти может принести увеличение количества FPS на 9% и 3% для средних и ультра настроек графики соответственно.

С AMD ситуация опять иная. Использование более быстрой памяти по сравнению с самой медленной DDR4-2133, приносит эффект порядка 12-15% на всех разрешениях и любых настройках графики. Причем, бОльшая часть прироста отмечается при переходе от DDR4-2133 на DDR4-2933. Дальше результаты тоже растут, но уже очень медленно.

GTA V

Игра известна своей процессорозависимостью и готовностью «употребить» все доступные ресурсы. Это отразилось и на результатах.

В случаем с Core i7 8700K, прирост FPS зависит от настроек графики, чем она выше, тем более оправдано использование ОЗУ с высокой частотой. Максимальный эффект при разрешении FullHD на ультра настройках – 16%. Больше всего это проявляется при переходе на память с частотой 3200 МГц. Вот дальше увеличение частоты дает уже менее заметный эффект.

AMD показывает такую же стабильность, как и в случае F1 2017. Вне зависимости от настроек, переход на более высокочастотную память принесет плюс 12-14% фэпээсов. Можно заметить, что эффект заметен до частоты 3200МГц. В дальнейшем увеличении смысла почти нет.

Rainbow Six Siege

Игра, весьма популярная у киберспортсменов, а посему, количество FPS – очень важный параметр.

Для CPU Intel наибольший эффект от скоростной памяти проявляется при FullHD разрешении и средних настройках «картинки» — 5%. Причем, при частоте ОЗУ 3200 МГЦ достигаются практически максимальные 333 FPS, и дальнейшее увеличение скорости работы памяти эффекта уже не дает.

При ультра настройках или при переходе на WQHD эффект от быстродействия ОЗУ укладывается максимум в пару процентов.

CPU AMD более чувствителен к изменению режима работы памяти, причем больше всего это заметно на средних настройках графии. С улучшением качества изображения зависимость от памяти снижается до 3%.

Результаты неигровых тестов

Наверное было бы не совсем правильно ограничиться только играми. Поэтому были проведены проверки в некоторых тестовых пакетах и реальных программах.

Cinebench 15 MT

Этот бенчмарк почти не заметил разницы между модулями памяти при использовании CPU Intel, впрочем, и при работе с AMD разница почти тоже нет.

В основном, «провалился» самый медленный вариант – DDR4-2133. Остальные показали очень похожие результаты.

Кодирование видео также не особо зависит от скорости работы памяти.

Прирост составил 4% для Intel и 3% для AMD. Причем наибольшая разница между самым медленным модулем DDR4-2133 и всеми остальными, идущими очень близко друг к другу.

Winrar

Архиватор заметил изменение в работе памяти.

В случае использования интеловского процессора, это отразилось в 13-процентном ускорении работы между самым медленным и самым быстрым модулями ОЗУ. Впрочем, это не совсем верно. После DDR4-3200 увеличение частоты уже не дает никакого эффекта.

С AMD разница также составила те же 13%.

Google Chrome – Jetstream

В этом тесте ускорение при использовании более скоростной памяти с процессором Intel уложилось в 1%.

AMD работает быстрее на 4% при использовании более высоких частот ОЗУ.

Заключение. Так какую оперативную память DDR4 выбрать? Есть ли смысл гнаться за самой быстрой?

Какие выводы можно сделать? Не каждая игра заметит более скоростные «мозги». Да и прикладное ПО, порой, остается равнодушным ко всем этим мега и гигагерцам. «Бутылочное горло» может оказаться совсем не в скорости работы памяти.

И все же это не означает, что смысла в установке более быстродействующей памяти нет. Если говорить о платформе Intel Coffee Lake, то наибольший эффект достигается при использовании памяти в диапазоне от 2666 МГц до 3200 МГц.

Больше эффект заметен в случае использования AMD Ryzen 2. Экономия на ОЗУ может отобрать у процессора порядка 10% его возможностей. В данном случае использование модулей ниже DDR4-2666 не оправдано. Видимо не зря оба производителя сертифицировали именно эту память.

Граница разумности увеличения частоты работы ОЗУ также лежит в пределах до 3200 МГц, ибо выше, во-первых, эффект почти незаметен, а, во-вторых, есть проблемы с совместимостью.

Ну и на сладкое – самое горькое, про цены (по состоянию на середину июля 2018-го года). Как уже понятно, выбирать самую дешевую DDR4-2133 оправдано только при существенном дефиците денежных средств. Разумный выбор начинается с DDR4-2666. Надо ли выше – зависит от того, какие игры вы предпочитаете, какое ПО используете, и насколько разнятся результаты при разных частотах работы.

Теперь обратимся к конкретным цифрам в рублях. Для простоты в качестве ориентира возьмем «народный» бренд Kingston и линейку HyperX. Что получается по ценам? Два модуля по 8 ГБ DDR4-2133 оцениваются примерно в 11500 руб. и выше. Как уже договорились, этот вариант – только на самый крайний случай.

За более интересную DDR4-2666 придется отдать не менее 12300 руб., что, на мой взгляд, более чем оправдано, если всего за 800-1000 руб. мы получаем от процессора немного больше, чем при использовании более медленных модулей.

Актуальная для AMD ОЗУ DDR4-2933 стоит уже не менее 13500 руб. и, думаю, является оптимальным выбором. Похожий вариант DDR4-3000 для Intel стоит примерно столько же.

Если смотреть на модули частотой 3200 МГц, то придется готовить не менее 14000 руб., и надо учитывать, что эффект уже, в большинстве случаев, ниже, чем при переходе с 2133 на 2666 или 3000 МГц.

Дальше – больше. DDR4-3600 уже будет стоить никак не меньше 15500 руб., и оправданность покупки уже под вопросом. Разницы между этой памятью и, скажем, DDR4-3200 минимальна, и не надо еще забывать такую вещь, как бОльшие задержки, что также может сказаться на общем быстродействии.

Рассматривать более скоростную ОЗУ уже большого смысла я не вижу, ибо толку от нее практически никакого, а вот стоимость DDR4-4000 уже переваливает за 20000 руб. и стремится еще выше. Участвовавшие в тестировании модули G.SKILL в российской рознице стоят более 31000 руб. Такая покупка оправдана, если вы точно знаете, что такие скорости нужны, или для разгона. Для «штатного» использования эти траты излишни.

В конце концов, не следует слишком «зацикливаться» на скорости работы памяти. Если собирается игровой комп, то проблема может быть в производительности CPU или видеокарты, и лучше потратиться на устранение этих потенциальных «узких» мест, а не на наращивание скоростных показателей ОЗУ. Конфигурация должна быть сбалансирована, и при выборе надо избегать крайностей.

Как самая медленная, так и самая быстрая память – неоправданный выбор. Естественно, при штатном использовании или с минимальным разгоном.

Двухканальный режим ОЗУ DDR4 2666

Доброго времени суток! Имеется системный блок с такой конфигурацией железа:
Материнская плата ASRock AB350M PRO4 microATX BOX
Процессор: AMD Ryzen 5 3400G
Оперативная память : Crucial DDR4 2666mhz 4GBx2
Встроенное видео Radeon Vega 11
SSD M. 2 120GB
На вышеуказанной мать плате имеется 4 слота озу DDR4. На 1 и 3 слотах установлены две плашки для работы в двухканальном режиме, если на оставшиеся два слота установить две плашки с такой же частотой но по 8GB будут ли они работать в двухканальном режиме!? То есть 4GBx2(двухканальный режим) и 8GBx2(двухканальный режим). Заранее спасибо и прошу извинить если как то не так изложил свой вопрос=)

Скорее всего да, будет двухканал на всех двух парах и 4х2 и 8х2.
Если в правильных слотах они будут стоят в парных — одного размера.

Частота и задержки будут идти по самому медленном и низкочастотному модулю, сверь все ттх.

«Частота и задержки»

в общем разгонять сложнее когда пары разные, проще 2х8 оставить и подразогнать, а 2х4 продать.

В вашем случае лучше продать те что есть, и поставить 2*8. Почему: При использовании 4-х планок, даже если все одинаковые, возрастает нагрузка на контроллер памяти, как итог — снижается Максимальная допустимая частота разгона. То есть, например сейчас 2 планки работают на 3000, если поставить ещё 2 Точно такие же, такую же частоту они уже не возьмут. Так как у вас, полагаю, используется внутреннее видеоядро, частота оперативной памяти является супер-критичной. Потому лучше использовать 2 по 8 Гб. Опять же, если есть необходимость, если не играете, то и 8 Гб должно хватать. Но разогнать её стоит хотя бы 3000 МГц обычно такие плашки «берут» даже на бюджетных мамках. На 2666 уж совсем больно сидеть. Это влияет и на общую производительность конфигурации, и на видеоядро в частности.

Читать еще:  Цифровая фоторамка Diframe

Можно гнать больше 3000 и профит будет. Если материнка позволит.

Значит надо пробовать.

Кто вам такое сказал!? Ryzen 5 3400G поддерживает частоту до 2933mhz

Сорян, с Н серией попутал

Все так минусят и пост и комменты,

тут может есть специализированое место для вопросов или люди просто засранцы?

(пысы, а то у меня тоже вопрос по мониторам)

@YermekUralsk @towerbird Минусят, потому что есть специализированные форумы: Toster, Habr. Да и пятиминутное гугление даёт массу информации. Подобные вопросы здесь скорее воспринимаются как спам. Зачем выносить на обсуждение и засорять ленту вопросами, которые обсуждались минимум десятки раз.

Изучаем оперативную память DDR4

DDR4 — на сегодняшний день самый популярный и актуальный формат оперативной памяти. Он устанавливается как в стационарные компьютеры, так и в ноутбуки, моноблоки и другие мобильные устройства. Ниже мы рассмотрим, в чем особенности, специфика, новшества и отличия DDR4 от уходящего в прошлое стандарта DDR3 и других типов ОЗУ.

Особенности DDR4

Перед выбором любого комплектующего персонального компьютера необходимо подробно ознакомиться с его ключевыми особенностями. DDR4 — оперативка, которая является универсальной для любой современной техники. Это связано с тем, что это ОЗУ использует чипы для поверхностной установки способом BGA.

Тем не менее для повышения емкости ОЗУ, возможности апгрейда, простоты установки и общей унификации сегодня в персональных компьютерах применяется так называемая модульная конструкция.

Формат

На чем распаиваются все чипы памяти DDR4? Сколько контактов у ddr4 планки? Сегодня используются платы (от четырех до шестнадцати штук), которые оснащаются 284 выходными контактами и называются DIMM. Все контакты оперативки имеют идентичные размеры, но совершенно несовместимы с ОЗУ DDR3, поскольку у модуля последней есть только лишь 240 контактных выводов. Вдобавок, модули разных поколений имеют очень разное расположение так называемого выреза-ключа, который используется для предотвращения установки оперативки в неправильный слот или ошибочной стороной. DIMM — это модули ОЗУ для серверов и обычных персональных компьютеров.

Так как ноутбуки требуют более компактных комплектующих, был разработан специальный модуль под названием SO-DIMM. Это небольшая двухсторонняя планка ddr4 ram с компактными выводами в числе 260. Она в два раза меньше стандартного ОЗУ-модуля и помимо ноутбуков, используется также в неттопах и моноблоках.

Характеристики

Это еще один очень важный критерий классификации DDR4-памяти. Напряжение, латентность и тактовая частота — вот основные рабочие параметры. Важно отметить, что с тактовой частотой непосредственно связана пропускная способность ОЗУ.

Тактовая частота. На что влияет влияет частота оперативной памяти? Это специальный параметр ОЗУ, который характеризуют общее быстродействие ОЗУ в режиме записи и дальнейшего чтения определенной информации. DDR4 сейчас выпускают с тактовой частотой 1600-3200 МГц. Под работу с подавляющим большинством персональных компьютеров сегодня рассчитаны модули ОЗУ со следующими значениями частоты:

Напряжение — это питающее напряжение ОЗУ-планки. Наиболее популярным значением на сегодняшний день данного параметра является 1,2 В. Помимо него существует специальная DDR4-память с более низким потреблением, которая называется LPDDR4. Для чего она нужна? LPDDR4 используется исключительно в разнообразной компактной и маленькой технике, смартфонах, всяческих планшетах. Сейчас она все еще не очень популярна. В угоду большей экономичности, это ОЗУ имеет сниженное быстродействие.

Латентность — это параметр оперативки, который определяет задержку между подачей специального запроса на конкретную операцию и ее выполнением. Латентность измеряется в общем числе рабочих тактов. Она характеризует общее быстродействие ОЗУ в режиме записи или чтения в абсолютно любом порядке. Оперативка будет более отзывчивой, если значение задержки будет меньшим. Если у модулей ОЗУ одинаковые показатели тактовой частоты, быстрее будет тот, у которого латентность меньше.

Отличия DDR3 от DDR4

К сожалению, развитие оперативной памяти идет не так быстро и стремительно, как у центральных процессоров. Новые поколения последних выходят практически ежегодно, в то время как ОЗУ DDR3 оставалась лидером рынка оперативной памяти с 2007 года. В чем же отличия нового поколения ОЗУ DDR4 от DDR3?

  • Было существенно снижена теплоотдача и потребление энергии. У DDR3 напряжение составляло примерно 1,5-2 Вольта, у DDR4 же оно было уменьшено до рекордных 1,05-1,2 Вольта. Правда более ощутимо это не для персональных компьютеров, а для мощных серверов.
  • Диапазон тактовой частоты значительно увеличился. DDR3 ОЗУ работало на тактовых частотах 800-2933 Мгц. DDR4 сегодня начинает свой диапазон с 2133 Мгц и заканчивает на 4400 Мгц. Причем это еще не предел.

Что лучше?

Итак, мы выяснили, что DDR4 гораздо экономичнее и намного быстрее всех своих предшественников. Но бывает так, что лучше все-таки выбрать не DDR4, а DDR3.

Если, к примеру, взять DDR4 2400 Мгц и DDR3 2400Мгц, то победит именно DDR3. Невероятно, но это так. С чем связана такая странность? Существует такая известная характеристика любого ОЗУ как тайминги оперативной памяти. Чем ниже данный показатель, тем скорость ОЗУ больше. К сожалению, тайминги у памяти DDR4, из-за специфики архитектуры, выше, нежели у более старого стандарта. Благодаря этому DDR3 выигрывает новинку в тестах при одинаковой тактовой частоте.

Правда если вы увеличите частоту DDR4 до 3200 Мгц, то преимущество DDR3 сразу же испариться. Таким образом, выбирать оперативную память ddr4 необходимо с учетом целого ряда факторов, которые влияют на общую производительность модуля памяти. К примеру, есть ли в ОЗУ потенциал для апгрейда компьютерной системы, какую частоту ОЗУ поддерживает.

Можно ли вставить ОЗУ DDR3 в слот для DDR4?

Пользователей компьютера часто интересует совместимость новой и старой оперативной памяти. К сожалению, об этом не может быт и речи. Просто посмотрите на форму ОЗУ-планок более внимательно и вы увидите, что они все-таки отличаются. производители специально делают каждое новое поколение ОЗУ таким, чтобы оно отличалось от своих предшественников по форме.

Также здесь большую роль играет специальная выемка, или так называемый ключ, который находится на стороне с выходными контактами. У каждого стандарта ОЗУ он в разных местах. Таким образом пресекаются любые попытки вставить модуль ОЗУ не в родной слот.

В итоге, стоит ли вообще что-то говорить о том, что планки DDR3 и DDR4 полностью несовместимы. Правда есть один маленький нюанс. Некоторые современные материнки имеют отдельные слоты сразу для модулей DDR4 и DDR3. Поэтому вы сможете вставить в одну материнку разные стандартны ОЗУ. Но лишь в их родные слоты.

Рейтинг самых лучших DDR4

Сейчас есть из чего выбрать. Итак, вот вам список самых популярных модулей ОЗУ DDR4.

Corsair Dominator Platinum 2x4GB DDR4-3200

Еще один замечательный представитель компании Corsair. Модули ОЗУ Corsair Dominator Platinum имеют суммарную емкость в 8 Гб.

Это ОЗУ используется для материнок Intel 100 Series. Благодаря полной поддержке специальных профилей XMP 2.0 ее можно очень хорошо разогнать, а затем контролировать нагрев устройства посредством специального программного обеспечения. Также здесь есть очень большой запас разгона и мощные радиаторы DHX.

При установке сразу четырех ОЗУ-модулей, эта оперативная память позволяет укомплектовать планки вспомогательным охлаждением. Для этого используется специальный кулер Dominator Airflow Platinum. Как и разгон, управление этими вентиляторами выполняется с помощью специального ПО под названием Corsair Link. Оно позволяет менять любой цвет подсветки и общую скорость его вращения.

Corsair Vengeance LPX 4x8GB DDR4-3600

Это ОЗУ применяется для наибольшего эффекта при обычном разгоне. Поэтому данный комплект наиболее популярен среди оверлокеров. Этот набор сразу из четырех полноценных модулей по 8 Гб может добавить вашему персональному компьютеру до 32 Гб ОЗУ.

Для разгона этого ОЗУ на полную используются особые радиаторы из алюминия и печатная восьмислойная плата, которые отвечают за равномерное распределение всего тепла и его отвод. Заводские испытания планки этого ОЗУ проходят на материнках серии 100 Series.

Corsair Vengeance LPX 2x8GB DDR4-3333

Это почти двойник Corsair Vengeance LPX 4x8GB. Их главное отличие в том, что здесь несколько меньше стандартные тактовые частоты, всего 3333 МГЦ против 3600 МГц. У этого ОЗУ суммарный объем составляет 16 Гб, то есть в два раза меньше, чем у лидера этого списка. Тем не менее это не так уж страшно. Ведь как и он, это ОЗУ используется именно для полного разгона, в частности и процессора компьютера. А также поддерживает все XMP 2.0 профили.

Еще один большой плюс данной оперативки состоит в том, что она отлично подходит для установки в небольшие материнки Mini-ITX. Все это благодаря низкопрофильному дизайну планок.

Kingston HyperX Predator 2x8GB DDR4-3200

Компания Kingston предлагает свой новый продукт под названием HyperX Predator DDR4. Это целый комплект модулей ОЗУ с очень низкой латентностью, достаточно высокой частотой и, как следствие, отличной производительностью. 16 Гб — именно такая общая емкость этого ОЗУ. При этом частота ОЗУ может с легкостью достигать даже невероятных 4000 МГц. Оперативка позволяет себя легко разогнать, а также поддерживает все профили XMP.

Надежность элементной базы и превосходное качество всех планок подтверждает пожизненная официальная гарантия от производителя. Для действенного отвода тепла используются специальные съемные теплоотводники. Причем выглядят они так же брутально, как и у Corsair Dominator Platinum.

Crucial Ballistix Elite 2x4GB DDR4-3200

Данный список лидеров закрывает лучшая оперативная быстрая память ddr4 от фирмы Crucial под названием Ballistix Elite 2x4GB DDR4-3200. Это набор ОЗУ с частотой в 3200 МГц и общей емкостью 8 Гб. Элитные модули ОЗУ здесь украшены очень стильными и красивыми радиаторами, которые сильно напоминают накладку ствола винтовки.

Важно также отметить, что радиатор комплекта здесь модульный. Таким образом если монтажу кулера процессора мешает верхняя часть радиатора, то ее можно легко снять в любой момент. Относительно того, насколько производительной является это ОЗУ, стоит сказать, что Ballistix Elite 2x4GB DDR4-3200 при тестировании на стабильность показала достаточно хороший потенциал для дальнейшего разгона. В результате, эта ОЗУ точно будет интересна оверлокерам.

Вывод

Оперативная память DDR4 прочно входит в нашу жизнь. Поэтому если вы покупаете оперативку, желательно выбрать именно четвертое поколение, как самое актуальное и новое. Так вы будете уверены в возможности апгрейда своей системы и совместимости с другими современными устройствами, программами и играми.

DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory ) — новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением. Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно во второй половине 2012 года [1] . В январе 2011 года компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В [2] [3] [4] . Эксперты из аналитического агентства IHS-iSuppli уверены, что доля DDR4 увеличится от 5% в 2013 году до 50% в 2015 году [5] .

Содержание

Разработка

JEDEC представила информацию о DDR4 на конференции MemCon в Токио. Судя по слайдам, новинка должна иметь и повышенную частоту (от 2133 до 4266 МГц), и пониженное напряжение (от 1,1 до 1,2 В) по сравнению с предыдущими стандартами, предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм. Массовое производство намечалось на 2015 год, а первые образцы для создания контроллеров памяти и совместимых платформ — на 2011 год [6] . В январе 2011 компания Samsung впервые представила модуль DDR4. Техпроцесс составил 30 нм, объём памяти 2 Гб, а напряжение 1,2 В [4] . Позднее Hynix представила свой первый модуль DDR4, который превзошёл модуль Samsung по частоте (2400 МГц вместо 2133). Hynix заявила о 80%-м увеличении производительности памяти по сравнению с DDR3-1333. Массовое производство намечено не ранее второй половины 2012 года [1] .

В сентябре 2012 года JEDEC опубликовала финальный вариант спецификации DDR4. [7] [8]

Максимальная пропускная способность

Для расчета максимальной пропускной способности памяти DDR4 необходимо её частоту умножить на 64 бита, то есть размер данных, который может быть передан за 1 такт работы памяти.

  • Для памяти с частотой 2133 МГц (наименьшая частота для памяти DDR4) максимальная пропускная способность составит 2133 * 8 = 17 064 Мегабайт/c
  • Для памяти с частотой 4266 МГц (наибольшая частота, определённая в стандарте. [9] ) максимальная пропускная способность составит 4266 * 8 = 34 128 Мегабайт/c

См. также

Примечания

  1. 12Hynix анонсировала чип DRAM DDR4 и модуль памяти на его основе. 3DNews (06.04.2011).
  2. Компания Samsung начинает поставки памяти типа DDR4
  3. Samsung develops DDR4 memory with up to 40 percent better energy efficiency than DDR3
  4. 12Samsung показала готовый DRAM-модуль памяти DDR4. 3DNews (04.01.2011).
  5. Hynix заканчивает разработку DDR4
  6. JEDEC готовит спецификации оперативной памяти DDR4-SDRAM. 3DNews (19.08.2010).
  7. JEDEC Announces Publication of DDR4 Standard | JEDEC
  8. Организация JEDEC опубликовала спецификации DDR4 // ixbt.com, 25 Сентября 2012
  9. http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20100816124343_Next_Generation_DDR4_Memory_to_Reach_4_266GHz_Report.html «effective clock-speeds for DDR4 memory would be 2133MHz — 4266MHz»
Читать еще:  Тест оперативной памяти DDR3 производства Geil

Ссылки

Wikimedia Foundation . 2010 .

Смотреть что такое «DDR4 SDRAM» в других словарях:

DDR4 SDRAM — This article is about DDR4 SDRAM. For graphics DDR4, see GDDR4. The first DDR4 memory module was manufactured by Samsung and announced in January 2011. In computing, DDR4 SDRAM, an abbreviation for double data rate type four synchronous dynamic… … Wikipedia

DDR4 SDRAM — La DDR4 SDRAM succédera à la DDR3 SDRAM. L information a été présentée à Intel Developer Forum à San Francisco 2008. Le plus bas clock speed sera à 1 600 MHz jusqu au niveau maximal de 3,2 GHz pour une tension de 1 V[1].… … Wikipédia en Français

SDRAM — Saltar a navegación, búsqueda Memoria SDRAM. Synchronous dynamic random access memory (SDRAM) es la dynamic random access memory (DRAM) que tiene una interfaz sincrónico. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) tiene una… … Wikipedia Español

SDRAM — refers to synchronous dynamic random access memory, a term that is used to describe dynamic random access memory that has a synchronous interface. Traditionally, dynamic random access memory (DRAM) has an asynchronous interface which means that… … Wikipedia

Ddr4 — SDRAM Le DDR4 SDRAM, qui sera probablement connu sous la forme simplifiée DDR4 (à ne pas confondre avec le GDDR4), est destiné à être progressivement utilisé dans les ordinateurs personnels commercialisés à partir de l année 2012. DDR4 SDRAM est… … Wikipédia en Français

SDRAM — типы DRAM памяти FPM RAM EDO RAM Burst EDO RAM SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM Rambus RAM QDR SDRAM VRAM WRAM SGRAM GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5 … Википедия

SDRAM — Sigles d’une seule lettre Sigles de deux lettres Sigles de trois lettres Sigles de quatre lettres > Sigles de cinq lettres Sigles de six lettres Sigles de sept… … Wikipédia en Français

DDR3 SDRAM — This article is about DDR3 SDRAM. For graphics DDR3, see GDDR3. In computing, DDR3 SDRAM, an abbreviation for double data rate type three synchronous dynamic random access memory, is a modern kind of dynamic random access memory (DRAM) with a… … Wikipedia

DDR2 SDRAM — У этого термина существуют и другие значения, см. DDR. типы DRAM памяти FPM RAM EDO RAM Burst EDO RAM SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM Rambus RAM QDR SDRAM VRAM WRAM SGRAM GDDR2 … Википедия

DDR3 SDRAM — У этого термина существуют и другие значения, см. DDR. типы DRAM памяти FPM RAM EDO RAM Burst EDO RAM SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM Rambus RAM QDR SDRAM VRAM WRAM SGRAM GDDR2 … Википедия

Начало новой эпохи. Как работает оперативная память стандарта DDR4

Оглавление

Вот и вышли процессоры Intel Haswell-E. Ferra.ru уже успела протестировать топовый 8-ядерник Core i7-5960X, а также материнскую плату ASUS X99-DELUXE. И, пожалуй, главной «фишкой» новой платформы стала поддержка стандарта оперативной памяти DDR4.

Из этой статьи вы узнаете, какими же преимуществами обладают «мозги» нового поколения, и как полученные изменения повлияют на производительность памяти. Однако для начала — небольшой экскурс в историю.

Начало новой эпохи, эпохи DDR4

О стандарте SDRAM и модулях памяти

Первые модули SDRAM появились еще в 1993 году. Их выпустила компания Samsung. А уже к 2000 году память SDRAM за счет производственных мощностей корейского гиганта полностью вытеснила с рынка стандарт DRAM.

Аббревиатура SDRAM расшифровывается как Synchronous Dynamic Random Access Memory. Дословно это можно перевести как «синхронная динамическая память с произвольным доступом». Поясним значение каждой характеристики. Динамической память является потому, что в силу малой емкости конденсаторов она постоянно требует обновления. К слову, кроме динамической, также существует и статическая память, которая не требует постоянного обновления данных (SRAM). SRAM, например, лежит в основе кэш-памяти. Помимо динамической, память также является синхронной, в отличие от асинхронной DRAM. Синхронность заключается в том, что память выполняет каждую операцию известное число времени (или тактов). Например, при запросе каких-либо данных контроллер памяти точно знает, сколько времени они будут до него добираться. Свойство синхронности позволяет управлять потоком данных и выстраивать их в очередь. Ну и пару слов о «памяти с произвольным доступом» (RAM). Это означает, что единовременно можно получить доступ к любой ячейке по ее адресу на чтение или запись, причем всегда за одно и то же время вне зависимости от расположения.

Модуль памяти SDRAM

Если говорить непосредственно о конструкции памяти, то ее ячейками являются конденсаторы. Если заряд в конденсаторе есть, то процессор расценивает его как логическую единицу. Если заряда нет — как логический ноль. Такие ячейки памяти имеют плоскую структуру, а адрес каждой из них определяется как номер строки и столбца таблицы.

В каждом чипе находится несколько независимых массивов памяти, которые представляют собой таблицы. Их называют банками. В единицу времени можно работать только с одной ячейкой в банке, однако существует возможность работы сразу с несколькими банками. Записываемая информация необязательно должна храниться в одном массиве. Зачастую она разбивается на несколько частей и записывается в разные банки, причем процессор продолжает считать эти данные единым целым. Такой способ записи называется interleaving. В теории, чем больше в памяти таких банков, тем лучше. На практике модули с плотностью до 64 Мбит имеют два банка. С плотностью от 64 Мбит до 1 Гбит — четыре, а с плотностью 1 Гбит и выше — уже восемь.

Что такое банк памяти

И несколько слов о строении модуля памяти. Сам по себе модуль памяти представляет собой печатную плату с распаянными на ней чипами. Как правило, в продаже можно встретить устройства, выполненные в форм-факторах DIMM (Dual In-line Memory Module) или SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module). Первый предназначается для использования в полноценных настольных компьютерах, а второй — для установки в ноутбуки. Несмотря на один и тот же форм-фактор, модули памяти разных поколений отличаются количеством контактов. Например, решение SDRAM имеет 144 пина для подключения к материнской плате, DDR — 184, DDR2 — 214 пинов, DDR3 — 240, а DDR4 — уже 288 штук. Конечно, речь в данном случае идет о DIMM-модулях. Устройства, выполненные в форм-факторе SO-DIMM, само собой имеют меньшее число контактов в силу своих меньших размеров. Например, модуль памяти DDR4 SO-DIMM подключается к «материнке» за счет 256 пинов.

Модуль DDR (внизу) имеет больше пинов, чем SDRAM (вверху)

Вполне очевидно и то, что объем каждого модуля памяти высчитывается как сумма емкостей каждого распаянного чипа. Чипы памяти, конечно, могут отличаться своей плотностью (или, проще говоря, объемом). К примеру, прошедшей весной компания Samsung наладила серийное производство чипов с плотностью 4 Гбит. Причем в обозримом будущем планируется выпуск памяти с плотностью 8 Гбит. Также модули памяти имеют свою шину. Минимальная ширина шины составляет 64 бит. Это означает, что за такт передается 8 байт информации. При этом нужно отметить, что также существуют 72-битные модули памяти, в которых «лишние» 8 бит отведены для технологии коррекции ошибок ECC (Error Checking & Correction). Кстати, ширина шины модуля памяти также является суммой ширин шин каждого отдельно взятого чипа памяти. То есть, если шина модуля памяти является 64-битной и на планке распаяно восемь чипов, то ширина шины памяти каждого чипа равна 64/8=8 бит.

Чтобы рассчитать теоретическую пропускную способность модуля памяти, можно воспользоваться следующей формулой: A * 64/8=ПС, где «А» — это скорость передачи данных, а «ПС» — искомая пропускная способность. В качестве примера можно взять модуль памяти типа DDR3 с частотой 2400 МГц. В таком случае пропускная способность будет равняться 2400 * 64/8=19200 Мбайт/с. Именно это число имеется в виду в маркировке модуля PC3-19200.

Как же происходит непосредственно чтение информации из памяти? Сначала подается адресный сигнал в соответствующую строку (Row), а уже затем считывается информация из нужного столбца (Column). Информация считывается в так называемый усилитель (Sense Amplifiers) — механизм подзарядки конденсаторов. В большинстве случаев контроллер памяти считывает сразу целый пакет данных (Burst) с каждого бита шины. Соответственно, при записи каждые 64 бита (8 байт) делятся на несколько частей. К слову, существует такое понятие как длина пакета данных (Burst Length). Если эта длина равна 8, то за один раз передается сразу 8 * 64=512 бит.

Модули и чипы памяти также имеют такую характеристику, как геометрия, или организация (Memory Organization). Геометрия модуля показывает его ширину и глубину. Например, чип с плотностью 512 Мбит и разрядностью (шириной) 4 имеет глубину чипа 512/4=128М. В свою очередь, 128М=32М * 4 банка. 32М — это матрица, содержащая 16000 строк и 2000 столбцов. Она может хранить 32 Мбит данных. Что касается самого модуля памяти, то почти всегда его разрядность составляет 64 бита. Глубина же легко высчитывается по следующей формуле: объем модуля умножается на 8 для перевода из байтов в биты, а затем делится на разрядность.

На маркировке без труда можно найти значения таймингов

Необходимо сказать несколько слов и о такой характеристике модулей памяти, как тайминги (задержки). В самом начале статьи мы говорили о том, что стандарт SDRAM предусматривает такой момент, что контроллер памяти всегда знает, сколько времени выполняется та или иная операция. Тайминги как раз и указывают время, требующееся на исполнение определенной команды. Это время измеряется в тактах шины памяти. Чем меньше это время, тем лучше. Самыми важными являются следующие задержки:

  • TRCD (RAS to CAS Delay) — время, которое необходимо для активации строки банка. Минимальное время между командой активации и командой чтения/записи;
  • CL (CAS Latency) — время между подачей команды чтения и началом передачи данных;
  • TRAS (Active to Precharge) — время активности строки. Минимальное время между активацией строки и командой закрытия строки;
  • TRP (Row Precharge) — время, необходимое для закрытия строки;
  • TRC (Row Cycle time, Activate to Activate/Refresh time) — время между активацией строк одного и того же банка;
  • TRPD (Active bank A to Active bank B) — время между командами активации для разных банков;
  • TWR (Write Recovery time) — время между окончанием записи и подачей команды закрытия строки банка;
  • TWTR (Internal Write to Read Command Delay) — время между окончанием записи и командой чтения.

Конечно, это далеко не все существующие в модулях памяти задержки. Можно перечислить еще добрый десяток всевозможных таймингов, но лишь указанные выше параметры существенно влияют на производительность памяти. Кстати, в маркировке модулей памяти и вовсе указываются только четыре задержки. Например, при параметрах 11-13-13-31 тайминг CL равен 11, TRCD и TRP — 13, а TRAS — 31 такту.

Со временем потенциал SDRAM достигла своего потолка, и производители столкнулись с проблемой повышения быстродействия оперативной памяти. Так на свет появился стандарт DDR.1

Пришествие DDR

Разработка стандарта DDR (Double Data Rate) началась еще в 1996 году и закончилась официальной презентацией в июне 2000 года. С приходом DDR уходящую в прошлое память SDRAM стали называть попросту SDR. Чем же стандарт DDR отличается от SDR?

После того как все ресурсы SDR были исчерпаны, у производителей памяти было несколько путей решения проблемы повышения производительности. Можно было бы просто наращивать число чипов памяти, тем самым увеличивая разрядность всего модуля. Однако это отрицательно сказалось бы на стоимости таких решений — уж очень дорого обходилась эта затея. Поэтому в ассоциации производителей JEDEC пошли иным путем. Было решено вдвое увеличить шину внутри чипа, а передачу данных осуществлять также на вдвое повышенной частоте. Кроме этого, в DDR предусматривалась передача информации по обоим фронтам тактового сигнала, то есть два раза за такт. Отсюда и берет свое начало аббревиатура DDR — Double Data Rate.

Ссылка на основную публикацию
Статьи c упоминанием слов:
Adblock
detector